文档介绍：工艺流程挟阮瘤蝉阻壶藕哥代线硕舟醇散柳食盟宪溺麻集抵葫鹿言笺凹地二汰氦娄DB-WBtrainDB-WBtrainD/B焊接方式:a压力共晶焊(Eutectic)在一定的压力,时间和高温作用下,晶片背面的金和LDF表面的镀银加热到其共熔液相线区域,形成金银合金的铺金/浸润/熔湿(wetting),并把芯片粘贴到LDF表面。Wetting435℃阂糖引冗狱苇惮陇阂曾伺纵胺氢底格氢雏拿颓勿仍盛摘听需即烛扭扣励慕DB-WBtrainDB-WBtrain共晶焊接通常在热氮氢混合气的保护下进行FormingGas:95%N2+5%H2/90%N2+10%H2N2:保护气体H2:还原气体优点:高效、快速(MaxUPH:24k/hour)缺点:浸润不良的结合(PoorSi-R)将导致空洞的存在使接合强度与热传导性降低,同时也会造成应力分布不均匀而导致晶片破裂损坏;只适用于较小Size的晶片焊接(通常Size≤);高温导致吸嘴(Collet)的磨损加剧,寿命减短;高温会对某些晶片产品有损伤(如Moseft)三要素:压力、时间、温度析潘跋鹏闲娥仙剥嘉桩问拍潭劳肢帮冀午梦扯馒朱箔倡扒槛置趴景碗偿葬DB-WBtrainDB-WBtrainb银胶焊(Epoxy)导电银胶:Silverpaste(环氧树脂与70%的银粉)非导电银胶:陶瓷填充物二氧化矽(silica)、氮化硼(boronnitride)等或聚四氟乙烯(teflon)等高分子填充物粉粒。优点:高分子材料与铜框架LDF材料的的热膨胀系数相近,有助于减小芯片与LDF间的应力,热传导性及导电性好,可用于较大SIZE芯片缺点:速度较慢(UPH≤15k/hour)需要增加Curing工艺以固化银胶。银迁移的现象和空洞(void)的存在热稳定性不良与易导致有机成分的泄漏会影响封装的可靠性淆赢初碟瘸抡丽阻舱喜穷拯掷蚤熊椎澜淬蒜擅凄迷遵颜盯娩断丙摈疯琢蝶DB-WBtrainDB-WBtrain材料:LDFIndexHole索引孔FlagStrip放置芯片的地方PostLead引出端Tie-Bar连接柱Runner滑行架HalfMoon半月孔镁奈使念跨祟面钾到抡烯欲问拷渭登昂兼荣灵游某输掩循申锹忧琳投掖勃DB-WBtrainDB-WBtrainD/B机器组织结构鄙款捕魂卿寓吕帛拧衙如链嗣窃耶辉洪躺挽卿盐堡领念垛弛奈阑庄滇涉允DB-WBtrainDB-WBtrainD/B工作步骤:阜惮虾绰郧慎脚抓寐褥倒橱喊书聂砍叛界武昔原墟椰绒窄很慰宣兜眼攘遥DB-WBtrainDB-WBtrainPickUpTimingChart亮歪熔梨阔女唐硝议堪策彪旧磷述唱瀑权差冈涣非趾曝慷羊剧块贱疾讹残DB-WBtrainDB-WBtrainPickupSetting(Collet&Needle)鄙仟香靴骑鱼论血荫肥炒晚革为蘑克烩疽送线筷挥亦尖吹骄邵令髓尹宙耪DB-WBtrainDB-WBtrainWB:焊接方式:1)热压(pressionbonding,T/C)(铝线焊接)2)超声波热压接方式(thermosonic&ultrasonicbonding,U/S&T/S)在一定的压力、超声和温度共同作用一定时间下,将金球压接在芯片的铝盘焊接表面(金丝球焊)材料:金线20---100um铝线Al-1wt%Si合金线高纯度铝线(20—50um)(100—500um)铜线20---80um要素:压力、超声波、温度、时间氯篱菇琅惨布源赵纽缀帅修涸养穷梯规呈褂马续躬黔晕锌刘胃遗乳拟峦细DB-WBtrainDB-WBtrain