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新型ESD防护器件与电路的结构设计及特性分析.pdf

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新型ESD防护器件与电路的结构设计及特性分析.pdf

文档介绍

文档介绍:西安电子科技大学
硕士学位论文
新型ESD防护器件与电路的结构设计及特性分析
姓名:唐保军
申请学位级别:硕士
专业:微电子学与固体电子学
指导教师:刘红侠
20100101
性地设计与分析了新型麾鏐,它不仅具有嗥骷墓餐诺悖摘要成熟的阑て骷氲缏方峁沟姆阑つ芰σ膊欢系亟档停虼耍A擞行У靥构就显得尤为重要了。在对现有阑ぱ芯康幕∩希韭畚闹氐愣孕滦虴防护器件与电路结构进行了较深入地研究。首先详细阐述了闩锁效应的理论模型,这将为最新出现出现的系统级阑そ辛讼低撤治觯菹低臣禘失效机理,提出了软硬件协同设计的解决方案并有效地解决系统级б鸬你潘вΑW詈蠼樯分析了不同槲坏缏范韵低臣禘的免疫能力,同时给出了能有效改善箝位新型阑て骷矫妫韭畚闹氐阊芯苛烁髦諷器件,通过分析其基本结构,得出了骷砺勰P停永砺凵舷低车刂傅佳芯縎器件的工作特性。通过对比各种不同的骷峁梗岢隽薙类器件的统一模块形式,并创新性提出了嗥骷谋曜寄?榛杓乒こ汤砺邸Mü治鯰、?榈墓δ埽还具有触发电压动态可调的优良特性,并且寄生电容小,反应速度快,以及抗闩新型阑さ缏贩矫妫韭畚淖胖匮芯苛薊箝位电路。首先详细介绍了箝位电路的设计准则,并通过分析箝位电路的结构,创新性地提出了新型护箝位电路。该缭大槲坏缏罚镁哂辛己锰匦浴⒈哐卮シ⒌亩琓シ⑵鳎屑觳狻⒀映伲苡行Ы饩龅缭纯焖偕侠蟠シ⑽侍猓本哂械源噪声免疫能力。该新型电路结构,不仅具有低功耗、低成本的优点,还普遍适用于不同工艺条件下擅准的集成电路。研究与验证结果表明,该电路特别适合于高速集成电路中的阑ぁ关键词。静电放电潘в煽毓杵骷标准模块化设计箝位电路随着半导体制造工艺的进步,器件的特征尺寸越来越小,静电放电,已经成为集成电路中最重要的可靠性问题之一。许多应用高纳米级集成电路中的阑つ芰Γ慕肷杓菩滦偷腅防护器件与电路结的系统级阑ず涂煽毓器件结构统一理论提供理论支持,同时也据此得出了更全面的预防闩锁效应防护措施。接着对最新电路的抗系统级阑つ芰Φ男碌缏方峁埂指导了骷阑ぱ芯空呷绾胃莶煌男枨笊杓瞥鲂碌腟器件。最后创新锁能力强的优点。该器件在高速及射频集成电路中的阑び泄惴旱挠τ们熬啊
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日期:≥婢州日期:丝ィ:西安电子科技大学学位论文独创性虼葱滦声明关于使用授权的声明日期:圣兰迹好础秉承学校严谨的学风和优良的科学道德,本人声明所呈交的论文是我个人在标注和致谢中所罗列的内容以外,论文中不包含其他人已经发表或撰写过的研究成果;也不包含为获得西安电子科技大学或其它教育机构的学位或证书而使用过的材料。与我一同工作的同志对本研究所做的任何贡献均已在论文中作了明确的申请学位论文与资料若有不实之处,本人承担一切法律责任。本人完全了解西安电子科技大学有关保留和使用学位论文的规定,即:研究生在校攻读学位期间论文工作的知识产权单位属西安电子科技大学。本人保证毕业离校后,发表论文或使用论文工作成果时署名单位仍然为西安电子科技大学。学校有权保留送交论文的复印件,允许查阅和借阅论文:学校可以公布论文的全部或部分内容,可以允许采用影印、缩印或其它复制手段保存论文。同时本人保证,毕业后结合学位论文研究课题再撰写的文章一律署名单位为西安电子科技大学。C艿穆畚脑诮饷芎笞袷卮斯娑导师的指导下进行的研究工作及取得的研究成果。尽我所知,除了文中特别加以说明并表示了谢意。本人签名:导师签名:
◆箩罗第一章绪论窒蟾攀黾把芯肯肿个不同材料的物体摩擦,都有可能产生静电。梢允沟玫绾稍诹礁龃缥锾之间进行再分配,导致电荷的传导,形成电流并产生电压降。不同材料的物体之间摩擦可产生静电,因此人体和设备在器件制造的各个阶段都会很容易发生事件。例如,如图所示,在适合的相对湿度下,人体在聚乙烯地板上行走的简根据文献报道【,集成电路技术中,近%的失效是由于静电放电及与之鸬摹可以造成元器件损伤,甋臣驳绶诺纾驳缈梢运凳俏薮Σ辉诘模魏瘟单行为就可以产生的静电电势【。当带静电的物体接触到有效接地的物体时,在极短时间内积累的静电荷会被泄放掉,典型的放电时间为到是一个瞬态事件,有各种来源,包括人体、机器、电磁、核以及其它苛刻的环境。当然,随着工艺尺寸的不断降低,窒笠哺鳦傻缏:欢洗葱碌奶粽健相关的电气过载电路板失效和信息丢失。随着芯片集成度和工艺性能提高,器件的最小特征尺图人体由于摩擦产生静电
喙鼗靖拍相应不同层面的芯恳渤晌狪煽啃缘娜鹊阊芯糠较颉S捎贓在不同工研究呼之欲出,基于以上原因,本硕士论文对此做了比较深入的研究,同时分析设计了一些创新的阑て骷偷缏方峁埂扰对电子设备的影响,并且提出了一些减轻訧撕Φ募虻グ旆。当今,集成电路产业的迅速发展,新工艺,新器件,新电路的发展日新月异,相应地,约傻缏房煽啃缘奈:σ苍嚼

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