文档介绍：;1959年肖克莱首次提出SiC存在的广阔潜在应用前景;真正引起人们的广泛重视还是在20世纪80年代末90年代初极端电子学的问世,才促进了在极端条件下和领域中使用的SiC材料与器件的飞速发展。SiC是IV-IV族二元化合物半导体,也是元素周期表IV族元素中唯一的一种固态化合物。同质多型体SiC是一种天然的超晶格,又是一种典型的同质多型体。SiC晶体结构具有同质多型的特点,即在化学计量成分相同的情况下具有不同的晶体结构,如闪锌矿结构、纤锌矿结构和菱形结构。一般把纤锌矿结构和菱形结构的多型体称为α-SiC,把闪锌矿结构的多型体称为β-SiC。SiC多型晶体的晶格常数“a”可以看作常数,而“C”则是多值量,由此构成了一个庞大的同质族。目前已被证实的多型体超过200种,最常见的有立方闪锌矿结构的3C-SiC,六方纤锌矿结构的6H-SiC和4H-SiC,其中6H-SiC最为稳定。SiC的性质SiC的晶体结构不同,其物理性质也不同。与Si相比,除个别参数(如电子迁移率)外,SiC的品质全面超过Si。SiC材料具有独特的性质,如宽带隙、高临界击穿电场、高热导率、高载流子饱和漂移速度在高温、高频、大功率、光电子及抗辐射等方面具有巨大的应用潜力。SiC和Si材料的性质比较3C-SiC4H-SiC6H-SiCSiEg/eV(T<5K)•cm-•cm-1•K-1(3OOK)-3(300K)-15xlO--•S_1(平行于c轴)•V-1•s-1800**********μp/cm2•V-1•s-、纳米力学、场发射和纳米合成物等方面巨大的潜在应用前景,一维量子线在低维物理学和材料研究领域引起了人们的极大兴趣。纳米线形式的立方SiC由于其固有的化学和电子性质的独特结合已引起人们的广泛注意。β-SiC纳米线为应用在极端条件下的高温、大功率、高频纳米电子学提供了极好的机会。这种形式的SiC光致发光(PL)性质和电子场发射性质也能够导致广泛的技术应用。℃下合成了SiC纳米线(Ws)。-SiC纳米线最简单的方法是在H2或NH3中在1360℃下加热含有活性炭的气体氧化硅。(a)表示在NH3中1360℃下加热活性炭和氧化硅凝胶7h得到的SiC纳米线的SEM图像。(b)所示为单根SiC纳米线的HRTEM图像,显示出(111)晶面。(b)插图所示为相应的SAED图案,显示出(111)晶面的布拉格斑点,某些条纹起因于堆垛层位错的存在。。(a)所示为分布在碳薄膜上的SiC纳米线的低放大倍数TEM图像。SiC纳米线均匀,其直径和长度分别为50nm〜80nm和100μm。刚合成的材料分为三种基本纳米线结构:纯SiOx纳米线、由SiOx覆盖着的同轴β-SiC纳米线(图(b))(占材料的约50%)和双轴β-SiC-SiOx纳米线(图(c))(占材料的约30%)。