文档介绍：第 31 卷第 9 期工程热物理学报 V 1 N o .9
2 0 10 年 9 月 J O U R N A L O F E N G IN E E R IN G T H E R 八 O P H Y S IC S S e P . 2 0 1 0
几种湍流模型在晶体生长模拟中的应用及比较
刘鑫
刘立军1,2 王元
柿本浩一
(1 . 西安交通大学能源与动力工程学院, 陕西西安 7 100 4 9 ;
, 浙江杭州 310058;
3. 九州大学应用力学研究所, 福冈 816一8580 日本)
摘要利用块结构化网格对一典型工业用单晶硅 C Z 结晶炉进行离散, 对炉内硅熔体的对流换热所有部件内的传导
换热和炉腔内的辐射换热进行整体藕合求解!针对大尺寸增瑞内的硅熔体湍流, 分别应用低雷诺数丸一: 模型标准丸一:
模型和丸一: 两层湍流模型进行模化!通过比较分析发现, 应用三种湍流模型都能预测高温硅熔体的湍流结构, 且基本一
致, 但各模型中对近固壁湍流的不同处理方法对固液凝固界面形状的模拟结果有较显著的影响!
关键词全局模拟; 晶体生长; 湍流模型; 熔体对流
中图分类号: 0 782 文献标识码: A 文章编号: 0253一23一x (20一!)09一500一04
C O M P A R I S O N A N D A P P L IC A T IO N O F S E V E R A L T U R B U L E N C E
M O D E L S IN S IM U L A T IO N O F C R Y S I ,A L G R O 丫V T H
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