文档介绍：第二章双极型晶体二极管及基本放大电路双极型晶体三极管放大器的工作原理放大电路的分析方法共集放大电路共基放大电路极间耦合方式第一节第二节第三节第四节第五节第六节半导体三极管有两大类型:双极型半导体三极管场效应半导体三极管一晶体三极管的工作原理双极型半导体三极管是由两种载流子参与导电的半导体器件,它由两个PN结组合而成,CS)器件。场效应管仅由一种载流子参与导电,是电压控制电流(VCCS)器件。第一节双极型晶体三极管2019/11/3(一)晶体三极管的结构(二)晶体三极管内部载流子传输过程(三)晶体三极管的电流关系(四)晶体三极管的特性曲线(五)晶体三极管的参数(六)(一)。分两种类型:NPN型和PNP型:E-B间的PN结称为发射结(Je)C-B间的PN结成为集电结(Jc)称为基区,加上电极称为基极,用B或b表示(Base);称为发射区,电极称为发射极,用E或e表示(Emitter);称为集电区和集电极,用C或c表示(Collector)。2019/11/:双极型三极管的符号如图:发射极的箭头代表发射极电流的实际方向。:(1).发射区的掺杂浓度大。(2).集电区掺杂浓度低,且集电结面积大。(3).基区要制造得浓度低,且很薄。(其厚度一般在几个微米至几十个微米)(二).:必须满足:(1).内部条件:发射区浓度高,基区浓度低且薄。(2).外部条件:发射结加正向电压,集电结加反向电压。;;。结论2019/11/3(1).由于发射结正偏,将有大量的电子从发射基区扩散,形成的电流为IEN。(3).电子流在基区停留时间很短,在集电结反偏电压作用下,很快进入集电结的结电场区域,被集电极收集,。(2).基区向发射区也有空穴的扩散运动,但数量小,形成的电流为IEP,只有少数电子在基区被复合,形成的电流是IBN。:另外因集电结反偏,使集电结区的少子形成漂移电流ICBO综上所述,可得如下电流关系式:IE=IEN+IEP且有IEN>>IEPIEN=ICN+IBN且有IEN>>>>IBNIC=ICN+ICBOIB=IEP+IBN-ICBOIE=IEP+IEN=IEP+ICN+IBN=(ICN+ICBO)+(IBN+IEP-ICBO)得:IE=IC+IB由以上分析可知:,基区很薄,是保证三极管能够实现电流放大的关键。,相当基区很厚,所以没有电流放大作用。,是两个PN结演变为三极管从量变引起质变的过程。结论(三):三极管有三个电极,两个为输入,两个为输出,必然有一个极是公共电极。共有三种接法也称三种组态:(2).共基极接法:基极作为公共电极,用CB表示。(1).共射极接法:射极作为公共电极,用CE表示;(3).共集电极接法:集电极作为公共电极,用CC表示2019/11/3