电力电子习题.doc

文档介绍：---------------------------------校验:_____________-----------------------日期:。,电力电子器件功率损耗主要为_通态损耗_,而当器件开关频率较高时,功率损耗主要为_开关损耗_。,一般由_控制电路_、_驱动电路_、_主电路(以电力电子器件为核心)_三部分组成,由于电路中存在电压和电流的过冲,往往需添加_保护电路_。,电力电子器件可分为_单极型器件_、_双极型器件_、_复合型器件_三类。。、_快恢复二极管_、_肖特基二极管_。。、反向截止。,维持电流IH与擎住电流IL在数值大小上有IL_大于2-4倍_IH。,UDRM_低于_Ubo。(如何连接)在同一管芯上的功率集成器件。。。,其中前者的截止区对应后者的_截止区_、前者的饱和区对应后者的_放大区_、前者的非饱和区对应后者的_放大区_。。()(th)随温度升高而_略有下降_,开关速度_低于_电力MOSFET。,一类是高压集成电路,另一类是_智能功率集成电路_。,可将电力电子器件分为_电流驱动器件_和_电压驱动器件_两类。,驱动电流后沿应是_负脉冲_。。,并用电阻将其消耗。在过电流保护中,快速熔断器的全保护适用于_小_功率装置的保护。,以便与功率晶体管的开关时间相配合。,给每只管子并联相同阻值的电阻R是_静态均压_措施,给每只管子并联RC支路是_动态均压_措施,当需同时串联和并联晶闸管时,应采用_先串后并_的方法。,在1/2或1/3额定电流以上区段具有_正_温度系数。:电力二极管(PowerDiode)、晶闸管(SCR)、门极可关断晶闸管(GTO)、电力晶体管(GTR)、电力场效应管(电力MOSFET)、绝缘栅双极型晶体管(IGBT)中,属于不可控器件的是_电力二极管_,属于半控型器件的是_晶闸管_,属于全控型器件的是_绝缘栅双极晶体管(IGBT)、门极可关断晶闸管(GTO)、电力晶体管(GTR)、电力场效应管(电力MOSFET)_;属于单极型电力电子器件的有_电力场效应管(电力MOSFET)_,属于双极型器件的有_电力二极管、门极可关断晶闸管(GTO)、电力晶体管(GTR)、晶闸管_,属于复合型电力电子器件得有_绝缘栅双极型晶体管(IGBT)_;在可控的器件中,容量最大的是_门极可关断晶闸管(GTO)_,工作频率最高的是_绝缘栅双极型晶体管(IGBT)_,属于电压驱动的是_电力场效应管、绝缘栅双极型晶体管(IGBT)_,属于电流驱动的是_电力二极管、晶闸管(SCR)、门极可关断晶闸管(GTO)、电力晶体管_。简答题:?同处理信息的电子器件相比,它的特点是什么?电力电子器件是指直接用于处理电能的主电路中,能实现电能的变换和控制的电子器件。按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间信号的性质,分为电压驱动型和电流驱动型。根据驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间有效信号的波形,分为脉冲触发型和电平控制型。按照器件内内部电子和空穴两种载流子分为单极性器件、双极型器件和复合型器件。,电压电流的的承受能力强;,为减少损耗,处于开关状态;,需要驱动电路;