文档介绍：万方数据
,吼喇氲继寮す馄髑幻婺ざ刍录际李再金钐,芦鹏轶薄报学豕,王立军发光学报摘要:研究了不同腔面钝化方法对埃琇琎。:渐变折射率波导结构/半导体激光器输出激光功率的影响。将氲继寮す馄鞴苄厩昂笄幻娌徽舳贫刍び胝舳苨刍ず驼舳芞刍さ姆椒ń行了对比。结果表明,蒸镀刍け日舳苨刍さ陌氲继寮す馄魇涑龉夤β侍岣吡ィ炔徽舳钝化膜的半导体激光器输出激光功率提高了%。。在半导体激光器前后腔面蒸镀钝化膜能有效地提高器件的输出光功率。关键词:半导体激光器;腔面;钝化中图分类号:文献标识码:.。吉林长春;泄蒲г撼ご汗庋Ь芑涤胛锢硌芯克A殖ご琇‘,,.旷瓹/珻。/.冽:如昀饥.:/琓琒琣%甌瑃甌...收稿日期:恍薅┤:国家自然科学基金;吉林省科技发展计划手钅作者简介:李冉金,男,吉林榆树人,主要从事大功率半导体激光器高激光损伤阈值薄膜的研究。,珻簁籪;·
万方数据
庋有酒峁底上生长档兀粼覵ǘ任×眂覆盖层;最后生长岬高掺杂的幻娑刍ぶ票峁胩致引流子浓蘑”..言/\八./\/\..半导体激光器已广泛用于通讯、光信息存储、材料加工、泵浦源和激光医疗等领域。半导体激光器属于红外波段,已经直接用于材料加工⋯和激光医疗【等方面,并已形成了数百瓦或数千瓦的光功率模块¨“。这些高功率应用对半导体激光器提出了更高的要求怕0氲继迤骷在工作时会受到输出激光功率、电流和前后腔面热量的影响,使器件特性降低¨驯。由于半导体激光器芯片材料独有的特性,其解理腔面易发生氧化,产生光吸收,吸收的光转化成热量,加剧了器件退化【现厥笨傻贾缕骷АААNA提高半导体激光器的输出激光功率,人们已发展了多种半导体激光器腔面镀膜技术。最早出现的是腔面硫化技术。!,把半导体激光器的腔面与含有硫的化合物相互作用,除掉器件腔面表面原有的氧化层并生成相对稳定的硫化物钝化层,但是腔面硫化技术硫化效果不够稳定,有效期短。为了防止腔面氧化,研究人员在腔面附近引入电流非注入区,限制电流流入腔面,进而降低腔面附近载取雇ü捎梅俏收窗口技术,提高了器件输出功率。本文对比研究了半导体激光器管芯前后腔面不蒸镀钝化膜、前后腔面蒸镀钝化膜和前后腔面蒸镀钝化膜方法,并测试了器件性能,分析了器件失效的原因。结果表明半导体激光器腔面蒸镀钝化膜能有效的提高半导体激光器的输出激光功率。半导体激光器外延材料是以/三元材料为基础的,其结构如图荆采用渐变折射率波导结构。外延材料结构主要包括:×”。“。波导结构,灿组分的线性变化为一;生长%,。波导结构,组分线性变化从—;生长珿,粼覼的浓度为產掺杂呐ǘ任×”。哟ゲ恪为了对比不同腔面钝化方法对半导体激光器输出功率的影响,将半导体激光器外延芯片解理成腔长为的酰将解理的醴殖扇椋旱谝蛔閎条前后腔面不蒸镀钝化膜,直接蒸镀含氧的光学薄膜;第二组跚昂笄幻嫦日舳钝化膜,再蒸镀含氧的光学薄膜;第三组跚昂笄幻嬲舳钝化膜,再蒸镀含氧的光学薄膜。分别将三组踝翱ǖ阶ㄓ玫陌氲继寮す馄髑幻娑膜夹具上,放进全自动电子束真空镀膜机里,抽真空到×~,用低能离子源清洗腔面不稳定的界面