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超导体的相图及其对薄膜制备的指导作用汪怀蓉盍既,张荣芬钚鞒,虞苏青体系二元相图及相分析薄膜至关重要,应用·疢·逑档南嗤贾傅糓∧どひ庖逯卮蟆W芙酠摘要:菏屎嫌谥票冈忌7蛏幔诔嫉缱友Я煊蛴泻芎玫挠τ们熬啊V票父咧柿康相体系及相关系,详细对比分析/体系的热力学相图,总结分析富氧区杂项生成机理及其对罕∧ぶ柿亢托阅艿挠跋欤芯糠治鲇醒跆逑迪翸疢攘ρ嗤对罕∧げ牧现票干さ闹傅家庖澹教諬环境下采用原位生长技术制备撼薄膜时热力学相图的指导作用及相关制备工艺。关键词:超导体;相图;薄膜制备中图分类号:文献标识码:菏且恢旨虻サ亩=鹗艏浠衔铮哂高达某甲1湮露龋嘉4砃继临界转变温度的两倍。且具有材料成本低、制冷成本低、制备工艺简单、晶界透明性好锤叩牧俳电流密度⑾喔沙ざ却蟮扔诺悖屎嫌谥票冈忌夫森结,在超导电子学领域有很好的应用前景⋯。在超导电子学应用领域,制备高质量的罕∧至关重要。硼和镁的熔点分别约为℃和妫晶体生长温度约为℃.不过,由于常压下涸贛械娜芙舛群艿突蛘哂衅渌衔生成,传统硼化合物生长方法,即高温常压下在金属溶液中生长硼化合物的方法并不适用于生长海枰I婕暗礁哐辜际酢6摇S捎贛母挥发性,使得罕∧ぶ票父呦嗟钡哪讯取Q究表明忙琈:薄膜制备的很多问题比如和鄣阄露鹊木薮蟛罹唷⒏叩耐嘶鹞露取⒏叩腗蒸气分压、酉嗟男纬傻龋加隡逑的热力学相图密切相关。可见,高温下旱南关系和相图对旱谋∧ぶ票妇哂惺导实闹傅意义。本文在壕迳さ南喾治鲅芯炕∩希分析了—疢瓸·逑档南嗤技捌溆氡∧ぶ票的关系,探讨了肪诚略簧ぶ票撼急∧な比攘ρ嗤嫉闹傅甲饔眉跋喙刂备工艺,为进一步制备高质量的罕∧ぜ霸忌夫森结提供理论依据。对于体系,年给出了的假定相图;年取对甅L逑到行了计算和模拟,提出了旱募扑阆嗤迹玫人们的一致公认,如图尽M贾校珺—体系出现固、液、气相。!,及滔嗟仍酉唷通过图还可以看出,超导相的生长窗位于高的分压区间。该窗区间是一个适合于薄膜沉积的最佳区域一般地,理论上认为薄膜的最佳外延生长温度为该材料熔点的,℃,因而外延薄膜的最佳生长温度为℃左右陀谑导噬の露。从图中可看出,要想使涸诟梦露认卤3秩攘ρ定性,∧ぐā癕雍虰原子的凝聚和解吸附、原子和又涞睦┥⒑第卷第年贵州大学学报匀豢蒲О文章编号———.贵州大学职业技术学院,贵州贵阳;笾荽笱Ю硌г海笾莨笱收稿日期:—一誓金项目:】号作者简介:汪怀蓉,:通信、.·通讯作者:...
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\—【,闕蠯于从薄膜表面解吸附或者再蒸发的速率。由于/反应、原子的体扩散、撼枷嗟男纬珊头纸狻几个热动力学平衡。这说明,要得到严格符合化学计量比的撼急∧ぃ匦氩握胀糽纳窗在某~沉积温度下保证原子的沉积速率大~的高挥发性、易氧化性以及单质与单质湔气压的巨大差异等原因,原位沉积罕∧さ哪度很大。对于有氧玷污的体系,年等皁采用枷裱芯苛薓:超导陶瓷材料,在富酉喑薓。、认嗤猓狗⑾至组分接近于#旱南唷A硗猓贛:主相区还存在尺寸约—的富氧沉淀物或颗粒,包括主要由槌傻腗。。。!!┪⑿∥龀鱿的大小、密度和间隔距离与样本的厚度有关;同时,在样本边缘界面处还发现一些氧