文档介绍：长春理工大学
硕士学位论文
基于SILVACO模拟的开关VDMOS设计与制造
姓名:宋玲玲
申请学位级别:硕士
专业:微电子学与固体电子学
指导教师:富丽晨;许仲德
20080401
摘要针对国内外对骷肮β势骷男枨螅约癡向双扩散⌒в骞埽琕瓺的缩写帕嫉目9靥匦裕疚氖褂肧Ⅲ、,,D馊砑D獬龅脱固件下开关特性较好的骷钡玫狡洳问匦浴功率骷堑鼻叭让诺囊幌钛芯浚韭畚挠肧模拟墓ひ樟鞒蹋缤庋硬悴牧系闹掷唷⒑穸龋还饪痰耐夹区域;氧化层的厚度;注入条件、掺杂种类、掺杂剂量;刻蚀深度、范围等等,进而通过模拟器件的参数、电性能参数获得其特性曲线。通过以上的模拟,?槟D釼工艺制作过程,并用?樘崛√匦郧撸谏ノ皇笛榱髌得出样片。。关键词:击穿电压β食⌒в骞芴卣鞯纪ǖ缱枘D×
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作者签名:幽作者签名:趔燃年鱼月嵬趟科鸲槟辍V滤恐型年土月立五长春理工大学硕士学位论文原创性声明长春理工大学学位论文版权使用授权书过的作品成果。对本文的研究做出重要贡献的个人和集体,均已在文中以明确方本学位论文作者及指导教师完全了解“长春理工大学硕士学位论文版权使用规定”,同意长春理工大学保留并向国家有关部门或机构送交学位论文的复印件和电子版,允许论文被查阅和借阅。本人授权长春理工大学可以将本学位论文的全部或部分内容编入有关数据库进行检索,也可采用影印、缩印或扫描等复制手本人郑重声明:所呈交的硕士学位论文,《基于D獾呢⒐豓设计与制造》是本人在指导教师的指导下,独立进行研究工作所取得的成果。除文中已经注明引用的内容外,本论文不包含任何其他个人或集体已经发表或撰写式标明。本人完全意识到本声明的法律结果由本人承担。段保存和汇编学位论文。指导导师签名:
第一章绪论§功率的发展状况表是可关断晶闸管.—觭,简称、双极大功率晶体管缌λ电力电子学是介于皂器工程三大领域:电力、电子与控制之间的边缘学科,是以功率半导体器件为主体,为解决电力电子与控制技术,以静态功率变换和电子控制为电力电子学诞生以后,半导体学科分为两个分支:一个是以集成电路为核心的微主要体现在功率半导体器件的开发和生产上。近年来,由亍半导体微细加工技术与高压、大电流的电力半导体技术的结合,产生了一批高频化、全控型、集成化的新型电力电子器件,如垂直双扩散场效应晶体管原理而制成的。关键技术及技术难点包括高阻异型厚外延材料制各、硅片异型直接键合工艺、高质量大面积二氧化硅、氮化硅、多晶硅生长技术、大面积多层金属化技术、高压平面终端技米和高精度微细加工技术。作为电力电子学研究的主体,功率器件大致可分为四个有代表性的发展阶段。第一代功率半导体器件的代表是晶闸管,它给变流技术带来了革命性的突破,但它由于没有自关断能力,在许多应用场合必须采用强迫关断措施,这就大大增加了变流装置的成本。同时,它的开关频率较低,一般只能满足工频需要,使用局限性很大。第二代大功率半导体器件就是在人们对自关断能力研究后发展起来的。其主要代极型晶体管,英文全称为,简称蛩ḿń嵝途骞埽⑽娜ǔ莆简称等,相对于晶闸管来说,它们有较高的开关频率和简单的控制方法,在各种大功率自动控制装置中得到了广泛的应用。第三代大功率半导体器件的出现于上世纪八十年代,频率可以提高到几十千赫以上,使得电力电子装置的能量利用效率得到大幅度提高,成本大幅度下降,典型的器件有:功率、静电感应晶体管碨管碨虺芐、统⌒вΤ】刂凭д⒐即虺芃F渲校β蔒墓ぷ髂脱垢撸缌魅萘看螅开关速度快,成为了第三代功率器件的主流。第四阶段是保留功率的骷氐悖欢侠┐笃溆τ梅段В岣器件性能、可靠性、降低成本结合起来的过程。典型的器件是分立的功率骷虺主要内容的新兴学科。电子学,另一个则是以大功率半导体器件为核心的电力电子学。功率电子技术的核心,,简称,绝缘栅双极晶体管口。简称取D壳埃械母咂敌滦偷缌Φ缱悠骷际腔诔】,简称和晶闸撕分为横向双扩散场效应晶体管碙和电流纵向流过的场效应晶体管碫,简称—
难芯勘尘司推出陆峁挂岳矗缌玫搅搜杆俜⒄惯§构β蔒从小功率领域向大功率领域又迈进了一步。自从年,瓜公等。而八十到九十年代,由于功率的兴起,使电力电子步入了一个新的领域。举例来说,计算机和网络存储器的中央处理器电源是由几十安培乃至几万安培的功率半导体构成,功率半导体的改进缣岣咂德以显著减小屯源的能耗和减小设都是功率半导体:家电的冰箱、空调、洗衣机等都依赖功率半导体变频调速来节能并舒适化;手机是用功率半导体进行电源管理。功率半导体还是用信息技术改进传统产后,功率半导体器件的发展和集成电路结合愈来愈紧密,而且发展的越来越快了。当然,功率半导体器件不断发展的同时,前·阶段的主导产品并未