文档介绍：半导体基础知识自测题一、(1)√(2)×(3)√(4)×(5)√(6)×二、(1)A(2)C(3)C(4)B(5)AC三、UO1≈UO2=0UO3≈-UO4≈2VUO5≈UO6≈-2V四、UO1=6VUO2=5V五、根据PCM=200mW可得:UCE=40V时IC=5mA,UCE=30V时IC≈,UCE=20V时IC=10mA,UCE=10V时IC=20mA,将改点连接成曲线,即为临界过损耗线。图略。六、1、UO=UCE=2V。2、临界饱和时UCES=UBE=,所以七、T1:恒流区;T2:夹断区;T3:可变电阻区****题(1)AC(2)A(3)C(4)A。因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系,。ui和uo的波形如图所示。ui和uo的波形如图所示。uo的波形如图所示。ID=(V-UD)/R=,rD≈UT/ID=10Ω,Id=Ui/rD≈1mA。(1)、、。(2)。IZM=PZM/UZ=25mA,R=UZ/IDZ=~。(1)当UI=10V时,若UO=UZ=6V,则稳压管的电流为4mA,小于其最小稳定电流,所以稳压管未击穿。故当UI=15V时,由于上述同样的原因,UO=5V。当UI=35V时,UO=UZ=5V。(2)29mA>IZM=25mA,稳压管将因功耗过大而损坏。(1)S闭合。(2)波形如图所示。60℃时ICBO≈32μA。选用β=100、ICBO=10μA的管子,其温度稳定性好。晶体管三个极分别为上、中、下管脚,bc管型PNPNPNNPNPNPPNPNPN材料SiSiSiGeGeGe当VBB=0时,T截止,uO=12V。当VBB=1V时,T处于放大状态。因为当VBB=3V时,T处于饱和状态。因为取UCES=UBE,若管子饱和,则当uI=0时,晶体管截止,稳压管击穿,uO=-UZ=-5V。当uI=-5V时,晶体管饱和,uO=。因为(a)可能(b)可能(c)不能(d)不能,T会损坏。(e)可能根据方程逐点求出确定的uGS下的iD,可近似画出转移特性和输出特性。在输出特性中,将各条曲线上uGD=UGS(off)的点连接起来,便为予夹断线。过uDS为某一确定值(如15V)作垂线,读出它与各条输出特性的交点的iD值;建立iD=f(uGS)坐标系,根据前面所得坐标值描点连线,便可得转移特性。uI=4V时T夹断,uI=8V时T工作在恒流区,uI=12V时T工作在可变电阻区。(a)可能(b)不能(c)不能(d)可能第二章基本放大电路自测题一、(1)×(2)√(3)×(4)×(5)√(6)×(7)×二、(a)不能。因为输入信号被VBB短路。(b)可能(c)不能。因为输入信号作用于基极与地之间,不能驮载在静态电压之上,必然失真。(d)不能。晶体管将因发射结电压过大而损坏。(e)不能。因为输入信号被C2短路。(f)不能。短路,恒为零。(g)可能。(h)不合理。因为G-S间电压将大于零。(i)不能。因为T截止。三、(1)(2)四、(1)A(2)C(3)B(4)B五、(1)C,DE(2)B(3)ACD(4)ABDE(5)C(6)BCE,AD六****题ebc大大中大cbc小大大小bec大小小大(a)将-VCC改为+VCC。(b)在+VCC与基极之间加Rb。(c)将VBB反接,且加输入耦合电容。(d)在VBB支路加Rb,在-VCC与集电极之间加Rc。;将电容开路即为直流通路,图略。:IBQ=20μA,ICQ=2mA,UCEQ=6V;。带载时:IBQ=20μA,ICQ=2mA,UCEQ=3V;。(1)×(2)×(3)×(4)√(5)×(6)×(7)×(8)√(9)√(10)×(11)×(12)√(1)(2)12V(3)(4)12V(5)12V(a)饱和失真,增大Rb,减小Rc。(b)截止失真,减小Rb。(c)同时出现饱和失真和截止失真,。(a)截止失真(b)饱和失真(c)同时出现饱和失真和截止失真(1)(2)空载时,②①②①③③②①③①③③①③③(1)静态及动态分析:(2)Ri增大,Ri≈;减小,≈-。Q点:动态:图略。(1)求解Q点:(2)求解电压放大倍数和输入电阻:(3)求解输出电阻:(1)(2)(a)源极加电阻RS。(b)输入端加耦合电容,漏极加电阻RD。(c)输入端加耦合电容(d)在Rg支路加-VGG,+VDD改为-VDD(1)在转移特性中作直线uGS=-iDRS,与转移特性的交点即为Q点;读出坐标值,得出IDQ=1mA,UGSQ=-2V。在输出特性中作直流负载线uDS=VDD-iD(RD+RS),与UGSQ=-2V的那条输出特性曲线的交点为Q点,UDSQ≈3V。(2)(1)求Q点:UGSQ=VGG=3V从转移特性查得,当UGSQ=3V时,IDQ=1mA,UDSQ=VDD-IDQRD=5V(2)求电压放大倍数:(a)×(b)×(c)NPN型管,上-