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基于EKV衬底驱动MOSFETs的超低功耗运算跨导放大器设计.pdf

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基于EKV衬底驱动MOSFETs的超低功耗运算跨导放大器设计.pdf

上传人:durian 2014/3/4 文件大小:0 KB

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基于EKV衬底驱动MOSFETs的超低功耗运算跨导放大器设计.pdf

文档介绍

文档介绍:墨鲤基王壁型挝底堡动丛焓鸈坠笪超低功堑中国科学院研究生院硕士学位论文运篡堕昱趑丕鲞退盐二匮盛垡熬援虫国型堂瞳巫窒生院申请学位级别亟±逗值皇值:垦丕统论文提交日期闵课垄鱼生量旦培养单位生国型堂院电王堂班究压虫国抖堂院婴窥生院指导教师学科专业名称论文答辩日期学位授予单位答辩委员会主席分类号密级编号
基于牡浊疢的超低功耗运算跨导放大器设计摘要在此基础上,重点分析了两种在模拟中普遍使用的模型——P秃模拟与数字电路的超低功耗设计有着广泛的应用价值。器件和器件设计技术于低功耗模拟集成电路的设计技术。本文基于这项技术实现了超低功耗运算跨导低压低功耗设计技术涉及到工艺技术、建模技术和电路设计技术等。P汀模型在工业界被广泛的使用,,同时降低功耗。为了对比仿真模型,本文分别用P秃虰模型来实现峁砻鱁模型对对称性电路的仿真结果有了很大的改善。为了克服阂值电压对降低功耗的限制,本文引入了一种全新的低功耗电路设计技术——衬底驱动技术,利用的方法,实现了模拟中的基本模块——运算跨导放大器。仿真研究结果表明,:低压低功耗;模拟集成电路;P停怀牡浊疢;跨导运算放大器是微纳电子学的一个研究热点。牡浊疢墙昀捶⒄蛊鹄吹挠放大器,并使用计算机仿真的方法分析了器件特性。本文对其进行了介绍,并分析了各自的优缺点。其中,电路设计技术是发展低功耗设计的重点,它包括弱反型/亚阈值电路、衬底驱动⒏《ぜ⒌缌髂5缏泛偷缙揭莆坏燃际酢型。后者是专用于分析和设计低压低功耗模拟电路的全解析型模型。它足基于结构的物理特性建立起来的,并且其结构简洁便于升级,主要用于深亚微米工艺的低压低功耗模拟电路设计和仿真。此外,传统的晶体管因为工作电压下降而功耗又受到阂值电压的限制不能同步下降的弱点,而衬底驱模型和衬底驱动技术相结合为保;吩鲆嫖辔辉6任#拇锏.
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图表索弓集成电路主要的耗电类型图功耗、面积和速度的、⋯星饽P偷墓嗍淙敫《÷意图⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯P图P偷姆⒄埂⋯⋯⋯⋯⋯.⋯⋯右得鲋登蚝颓糠葱颓虻摹皌滑曲线⋯⋯⋯⋯⋯抡娼峁谋冉图反型因子和跨导有效性的关系表钢至餍械募蚬聊P偷谋冉等效电路⋯⋯⋯.⋯⋯绾煞植嫉腗结构截面⋯⋯⋯⋯⋯诜葱拖赂ㄕぜǖ缪筀鲋档缪狗訠和可移动电荷杂诠档赖缡芀。,的关系曲线图在给定栅极电压下的反型电荷和沟道电势的关系⋯⋯砻娴缡坪脱攵系缪沟墓叵登图反型电荷和沟道电势关系问耐暾交蠼夥椒牡浊疢牡浊疦峤匮⋯⋯⋯⋯图工作电压受到闽值电压的限制⋯运算放大器框图图电压控制电压源符号⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯湫臀藁撼錍朔诺募际跆跫图具有档朗淙攵缘奈藁撼錍朔拧⋯⋯.藁撼逶朔诺纳杓撇街⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯杓苹肪⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯问杓屏鞒问等范ā表变量值确定⋯⋯⋯⋯车腛峁⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯牡浊疢的结十勾.⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯.⋯⋯⋯抡娣桨浮⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯.图抡婊肪⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯..车腛蔡抡娼峁⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯牡浊疢的静态仿真结果⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯表功耗指标对比⋯⋯⋯⋯⋯秥表索弓⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯缏贰⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯.⋯⋯⋯⋯⋯...⋯⋯⋯⋯.一..
签名:搬签名:椎日期::仍托睇日期:#研究成果声明关于学位论文使用权的说明强。‘.本人郑重声明:所提交的学位论文是我本人在指导教师的指导下进行的研究工作获得的研究成果。尽我所知,文中除特别标注和致谢的地方外,学位论文中不包含其他人已经发表或撰写过的研究成果,也不包含为获得中国科学院电子学研究所或其它教育机构的学位或证书所使用过的材料。与我一同工作的合作者对此研究工作所做的任何贡献均已在学位论文中作了明确的说明并表示了谢意。本人完全了解中国科学院电子学研究所有关保留、使用学位论文的规定,其中包括:①电子所有权保管、并向有关部门送交学位论文的原件与复印件;②电子所可以采用影印、缩印或其他复制手段复制并保存学位论文;⑧电子所可允许学位论文被查阅或借阅;④电子所可以学术交流为目的,复制赠送和交换学位论文;⑥电子所可以公布学位论文的全部或部分内容C苎宦畚脑诮饷芎笞袷卮斯娑。特此申明。’
过程中,不需要‰的充电,但是在下拉的过程中,会把电容存储⋯摇眃%是的阂值电压闪ⅲ馐痹冢サ降刂涞腘蚉突嵬第一章引言电压为%,时,从。到刺浠输入端枰5哪芰渴莄堋F渲幸话氲就是ú⒉皇窃诿扛鍪敝犹涔讨校械腃缛荻蓟峤幸代表的是,在平均时间内,一个节点之中,每个时钟周期之内,这个节点所变化的几率。最终得到的功耗表达式为:尽电路中,如果条件%渲