文档介绍：【法规名称】 半导体制造业空气污染管制及排放标准【颁布部门】 【颁布时间】 2002-10-16【效力属性】 已修正【正文】半导体制造业空气污染管制及排放标准第1条  本标准依空气污染防制法第二十条第二项、第二十二条第二项及第二十三条第二项规定订定之。第2条  本标准专有名词及符号定义如下:一半导体制造业:指从事积体电路晶圆制造、晶圆封装、磊晶、光罩制造、导线架制造等作业者。二积体电路晶圆制造作业(WaferFabrication):指将各种规格晶圆生产各种用途之晶圆之作业,包括经由物理气相沈积(PhysicalVaporDeposition)、化学气相沈积(ChemicalVaporDeposition)、光阻、微影(Photolithography)、蚀刻(Etching)、扩散、离子植入(IonImplantation)、氧化与热处理等制程。三积体电路晶圆封装作业(WaferPackage):指将制造完成之各种用途之晶圆生产成为半导体产品之作业,包括经由切割成片状的晶粒(Dice),再经焊接、电镀、有机溶剂清洗和酸洗等制程。四光阻剂:指实施积体电路晶圆制造之选择蚀刻时,所需耐酸性之感光剂。五光阻制程:指晶圆经过光组剂的涂布、曝光、显像,使晶圆上形成各类型电路的制程。六挥发性有机物(pounds,VOCs):系指有机化合物成份之总称。但不包括甲烷、一氧化碳、二氧化碳、碳酸、碳化物、碳酸盐、碳酸铵等化合物。七密闭排气系统(ClosedVentSystem):系指可将设备或制程设备元件排出或逸散出之空气污染物,捕集并输送至污染防制设备,使传送之气体不直接与大气接触之系统。该系统包括管线及连接装置。八污染防制设备:系指处理废气之热焚化炉、触媒焚化炉、锅炉或加热炉等密闭式焚化设施、冷凝器、吸附装置、吸收塔、废气燃烧塔、生物处理设施或其它经中央主管机关认定者。九工厂总排放量:系指同一厂场周界内所有排放管道排放某单一空气污染物之总和;单位为kg/hr。一○污染防制设备削减量及排放削减率之计算公式如下: (一)污染防制设备削减量=E-E0;单位为kg/hr。(二)排放削减率=(E-E0)/E×100%;单位为%。 E:经密闭排气系统进入污染防制设备前之气状污染物质量流率,单位为kg/hr。 Eo(排放量):经污染防制设备后迳排大气之气状污染物质量流率,单位为kg/hr。一一润湿因子:洗涤循环水量/(填充物比表面积×洗涤塔填充段水平截面积),单位为m2/hr。一二洗涤循环水量:湿式洗涤设备内部流过填充物之洗涤水体积流量,单位为m3/hr。一三填充物比表面积:湿式洗涤设备之填充物单位体积内所能提供之气液接触面积,单位为m2/m3。一四洗涤塔填充段水平截面积:湿式洗涤设备内部装载填充物部份之水平横截面积,单位为m2。一五流量计:任何可直接或间接测得废气排放体积流量之设施。一六每季有效监测率:(每季污染源操作小时数-每季污染源操作期间连续自动监测器失效小时数)/每季污染源操作小时数。第3条  本标准适用于半导体制造业。但原物料年用量小于下表所列者,该项物质不适用本标准之规定: ┌──────┬────────┐│原物料│年用量│├──────┼────────┤│挥发性有机物│一七○○公斤/年│├──────┼────────┤│三***乙烯│六○公斤/年│├──────