文档介绍：休眠晶体(2008-8-715:26),其中涉及到定量的数据则仅限于AT和BT厚度切方式的晶体谐振器陶瓷谐振器也有类似的情况。。晶体一开始不起振,除非给他一个机械或电性的激发,之后晶体可以正常地工作一段时间,然后在一段无法预测的时间之后(通常是没有给晶体加电后)他又休眠—不工作。再次休眠的时间不可预测,可以是几分钟到几个月。这可以解释为什么有时用户发现不良,退回给制造厂,但不良分析报告认为是合格品。很有可能是休眠晶体在运输中被机械冲击/振动“唤醒”,或者在不良分析中用了相对较高的激励功率。(注:另外还有很多原因可导致送出去是不良品,退回时是良品的现象,休眠仅是其中之一)。几十年前,线路工作的电压高,频率低,因此,晶体的激励功率较高(如1000uW或以上).只要电源打开,线路中的激励功率足以唤醒晶体,所以,在那时候休眠晶体不是严重的问题。然而,线路中的高激励功率仍然需要一些时间(毫秒到秒)唤醒休眠晶体。有些人称这个现象为“启动迟缓”如今的应用要求很苛刻。应用线路中的低电压产生低激励功率。较高的工作频率,因此线路中更多的相位滞后会导致低的激励功率(低的负载电容)。现在的应用要求快速的启动,例如:VGA显卡,带热插功能的USB设施,带热插功能的PC卡,用电池的设施如PDA,手机,无绳电话和传呼机,为节省电池,这些东西都要在几毫秒内启动或关闭。?休眠晶体的根本原因是各个生产环节中产生的污染。污染不光是指脏的灰粒,还有水,汽,油等的痕迹。因此,要在所有的生产环节中控制污染的产生,这项控制的成本较高,并且有时很难查处污染的来源。现在,休眠晶体在整个行业中仍是热门话题,有很多晶体生产厂在做研究工作。但是不是所有的晶体生产厂都知道如何去避免休眠晶体的产生,正因为这个原因,有些生产厂不谈这个话题。?不幸的是不能根治,经过激励/唤醒后,休眠晶体还是会再次休眠休眠状态是晶体的自然稳定状态,一旦外部的激励消失一段时间后,晶体会恢复到这种稳定状态。完全没有办法将一个休眠晶体治愈,使他成为不会休眠的晶体。有些晶体生产厂为了提高出产率,在生产中用高激励功率激励晶体,这样就意味着将休眠晶体交给了用户,但这些休眠的晶体慢慢地又会休眠。正因为这个原因,要真确地清楚线路的工作激励功率,这样,好的晶体生产厂就不会用不恰当的方式去测试晶体。比如说,如果线路中的能供给晶体的激励功率为50uW,但规格却定为1mw(复印了旧的规格书),这相当于在要求晶体生产厂在生产和最终的检验中用高功率将晶体唤醒。值得提醒的是1mw在现在看来是非常高的激励功率了,因为应用线路中的激励功率比原先的小很多,晶体的尺寸也比旧的型号小很多。如果无法说明线路中的激励功率,将PCBA送到晶体生产厂进行测量。?要发现休眠晶体最困难的是:一旦被唤醒,就和好的晶体没有区别,但要多少时间才可以等到晶体的再次休眠就不一定了(可能是几秒种,几分种,几天或几周)。所以只能通过测晶体DLD(DriveLevelDependency)的方式间接地发现休眠晶体。晶体的DLD问题的原因和休眠晶体的原因是一样的,只是严重的程度要小一些。