文档介绍：目录高密度解决方案——多值存储⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯摘第碌悸当代非挥发存储体系⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯·娲⑵⑵⑵鳌非挥发存储体系的新发展⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯”非挥发存储体系的新发展⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯.啾浯娲⑵.璞浯娲⑵论文的组织结构⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯第露嘀迪啾浯娲⒌ピ5腍P相变材料的基本性质⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯”基本相变存储单元⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯”多值存储的可行性⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯”多值相变存储单元模型的基本结构⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯多值相变存储单元模型的仿真结果⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯第孪啾浯娲⑵鞯氖莶僮骺煽啃陨杓相变存储器的数据操作可靠性⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯现有的解决方案⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯”本论文的解决方案⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯”.∧J阶窒叩缪共钩シ桨浮第伦璞浯娲⒌ピ5腍P阻变材料的基本性质⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯一基本阻变存储单元⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯”阻变存储单元模型的基本结构⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯·阻变存储单元模型的仿真结果⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯·第卵⊥ü芨从玫淖璞浯娲⒄罅猩杓要⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯高密度非挥发存储体系的建模与设计目录.
传统存储单元阵列结构⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯存储阵列结构⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯”存储阵列结构⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯.徊娴甈存储阵列结构⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯·选通管复用阻变存储阵列的基本结构⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯选通管复用阻变存储阵列的高密度设计⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯。⊥ü芨从米璞浯娲⒄罅兄械牡缌鞔拧.⊥ü芨从米璞浯娲⒄罅械男床僮鹘!.⊥ü芨从米璞浯娲⒄罅械男床僮魇莘治觥第伦芙嵊胝雇参考文献附录多值相变存储单元的模型网表⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯阻变存储单元的模型网表⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯·论文及专利发表情况致谢高密度非挥发存储体系的建模与设计.
摘要本文以下一代非挥发存储器的高密度解决方案为中心,针对相变存储器和阻变存储器分别进行了探索性的研究。在评估了相变单元多值存储的可行性后,我们提出并实现了基于物理机理的多值相变存储单元模型;在高密度的相变存储阵列中,我们提出了对称位线补偿、步进字线电压补偿、反馈模式字线电压补偿等旨在解决位线寄生电阻电压降问题的创新方案。为了验证阻变材料在高密度存储阵列及外围电路中工作的有效性,我们提出并实现了基于占电荷限制电流淼淖璞浯娲⒌ピ狧P停换娲⒄罅懈拍睿们提出并验证了选通管复用的阻变存储器结构。关键词:非挥发存储器;相变存储器;;篜;阻变存储器;;高密度;建模;多值存储;中图分类号:高密度非挥发存储体系的建模与设计摘要
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当代非挥发存储体系距今蚰昵埃比死嘧嫦仍谑谏峡滔碌谝蛔榛嵋馔及福谕獠抗ぞ的信息传承和延续就注定成为了推动历史车轮滚滚前进的永恒主题。从甲骨文字到印刷术,从磁盘阵列到微型芯片,存储技术的每一次进步都颠覆着传统信息体系的内涵和外延。据统计,目前全球的数据总量大约在亿左右,这个数量相当于人类有史以来全部书籍所含信息量的丁辏人类创造的信息量首次在理论上超过了可用存储空间的总量。在这个信息爆炸的年代里,人们前赴后继,不断寻求全新的载体,本文即致力于集成电路工业中高密度非挥发存储技术的研究和开发。非挥发存储体系是相对于以蔡婊娲⑵和婊存储器V髁鞯幕臃⒋娲⑻逑刀缘模罢呖梢栽诘舻绲那榭鱿鲁ぞ帽3中畔原状,而后者只能在带电的条件下临时存放数据。当代非挥发存储体系主要分为以下几个阵营:亲钤缙诘目杀喑讨欢存储器,如图所示,它由一系列的浮栅晶体管组成。一旦浮栅中存入电荷,就可以使晶体管的阈值电压发生改变,从而改变存储的数据状态。基于热载流子注入效应,梢酝ü懒⒌谋喑唐骷酶叩缪菇斜喑蹋粜枰=擦除操作,则必须从载板上卸下,用紫外光照射封装上留出的透明窗口约分钟,将所有浮栅中的电荷全部驱除。由于靡桓鼍骞芾创娲⒁晃皇荩因此可以应用在较高密度的场合中。.
娲⑵/电可擦除可编程只读存储器窃贓的基础上改善得到的另一种非挥发存储器,基于载流子的场发射效应,的编程和