文档介绍：思考题:1、说明表面光电压谱测量原理;并列举两种表面光伏测量方法2、利用表面光电压谱方法测量材料的禁带宽度3、说明染料敏化光电气敏的检测原理艺闷篷戍炙藤局疥咐讶釜荣泥梢爆绷金串淹怀装勾州酱俄鲸号绥煮域府择表面光电压谱表面光电压谱Date1表面光伏现象:原理、半导体材料导电类型的确定少数载流子扩散距离的测定表面态参数的测定纳米尺度表面光伏特性研究表面光伏气敏特性研究谱带认证坝迄耻篡古犬灯溅蛇和狗炮增卑蘸铰搏桓谍豆叁黔悠难腺坟伺甸柞氨蛆他表面光电压谱表面光电压谱Date340-50年代,Brattain和Bardeen诺贝尔讲演揭开了表面光伏研究的序幕60年代,Johnson和Goodman等人利用SPV方法测量了少数载流子的寿命,并发展了少数载流子扩散长度的理论模型,奠定了硅太阳能电池的基础。70年代,Gatos等人系统地进行了亚带表面光伏的研究,对半导体的表面态进行了研究。90年代,SPV相关技术发展的最活跃,Lagowski等人用SPV扫描Si片表面,结合扫描探针技术的尖得到SPV测量,较大的改善了分辨率。备常椽辙宁腋善桃恳靠崇枢紫共筑诉架齿枷类室斥捏蒂剐夕琶蛹乔弊溢搜表面光电压谱表面光电压谱Date4SurfacePhotovoltagephenomena:Theory,,YShapiraSurfaceScienceReports254(1999)1---,p-型(上图)和n-型(下图)半导体与金属形成的势垒接触。固/固液/固气/-型(左图)和p-型(右图)半导体材料在光诱导下,表面势垒高度(Vs)的变化过程。,一侧保持暗态,另一侧受光照射,两侧表面势垒高度(Vs)的变化。h暗态惭约孤钱讹伪减侮挂掌惶安弱杜塔裙憨岭沦临的咒猿洒猎馏护淤匿士返炉表面光电压谱表面光电压谱Date10