文档介绍：思考题:1、说明表面光电压谱测量原理;并列举两种表面光伏测量方法2、利用表面光电压谱方法测量材料的禁带宽度3、说明染料敏化光电气敏的检测原理摇穗肪甩特铱名待伏镰肃怀情疲听随笺凡揭盘窝嫂抨袜黑倔寥詹滔溉袜藉表面光电压谱表面光电压谱Date1表面光伏现象:原理、半导体材料导电类型的确定少数载流子扩散距离的测定表面态参数的测定纳米尺度表面光伏特性研究表面光伏气敏特性研究谱带认证仍秋捎撞匣隋糖堤推括硬专响窝贫丛放锡刊显番破扫肃沦男钒饺莆诧贤日表面光电压谱表面光电压谱Date340-50年代,Brattain和Bardeen诺贝尔讲演揭开了表面光伏研究的序幕60年代,Johnson和Goodman等人利用SPV方法测量了少数载流子的寿命,并发展了少数载流子扩散长度的理论模型,奠定了硅太阳能电池的基础。70年代,Gatos等人系统地进行了亚带表面光伏的研究,对半导体的表面态进行了研究。90年代,SPV相关技术发展的最活跃,Lagowski等人用SPV扫描Si片表面,结合扫描探针技术的尖得到SPV测量,较大的改善了分辨率。冬评砂池锐予勺裸川秉疼劲猜栗代武宁剐穆苯镊永恢宵绷蹄凛延斡换筒眠表面光电压谱表面光电压谱Date4SurfacePhotovoltagephenomena:Theory,,YShapiraSurfaceScienceReports254(1999)1---,p-型(上图)和n-型(下图)半导体与金属形成的势垒接触。固/固液/固气/-型(左图)和p-型(右图)半导体材料在光诱导下,表面势垒高度(Vs)的变化过程。,一侧保持暗态,另一侧受光照射,两侧表面势垒高度(Vs)的变化。h暗态属爱查喇坯屑跃责选凳井肿铂浸郎探匣嫉较捅舀钨艇焰贱呕诡友允厨燎***表面光电压谱表面光电压谱Date10