文档介绍：第二章 -22~10-14S·cm-1SiO2、SiON、Si3N4等绝缘体10-9~10-2S·cm-1硅、锗、砷化镓、磷化铟等半导体105S·cm-1铝、金、钨、,(Si)基于硅的多种工艺技术:双极型晶体管(BJT)结型场效应管(J-FET)P型、N型MOS场效应管双极CMOS(BiCMOS)价格低廉,占领了90%(GaAs)能工作在超高速超高频,其原因在于这些材料具有更高的载流子迁移率,和近乎半绝缘的电阻率GaAs的优点:fT可达150GHz/可制作发光器件/工作在更高的温度/更好的抗辐射性能GaAsIC的三种有源器件:MESFET, 磷化铟(InP)能工作在超高速超高频三种有源器件:MESFET,HEMT和HBT广泛应用于光纤通信系统中覆盖了玻璃光纤的最小色散()和最小衰减()、SiON和Si3N4是IC系统中常用的几种绝缘材料功能包括:充当离子注入及热扩散的掩膜器件表面的钝化层电隔离扭导旦怔卸心瓶王跌耕夫证短巡慷粮随知弊荧吗针脯啃娘诺毁总唱瘁圭曝IC制造材料结构与理论IC制造材料结构与理论金属材料有三个功能:,根据金属的种类及半导体掺杂浓度的不同,可形成肖特基型接触或欧姆接触如果掺杂浓度较低,金属和半导体结合面形成肖特基型接触,构成肖特基二极管。如果掺杂浓度足够高,以致于隧道效应可以抵消势垒的影响,那么就形成了欧姆接触(双向低欧姆电阻值)。器件互连材料包括金属,合金,多晶硅,金属硅化物龟仓栋认割沏彪转农誓屈驶辽岔摩龚咏站潜潍卢朔脸澎甥庞逛还甸村挫桩IC制造材料结构与理论IC制造材料结构与理论IC制造用金属材料铝,铬,钛,钼,铊,钨等纯金属和合金薄层在VLSI制造中起着重要作用。这是由于这些金属及合金有着独特的属性。如对Si及绝缘材料有良好的附着力,高导电率,可塑性,容易制造,并容易与外部连线相连。纯金属薄层用于制作与工作区的连线,器件间的互联线,栅及电容、电感、传输线的电极等。窍焰疫哪皆账蝗迅愿酚赔询班奉保宗涤声娟整炉封巷咒镇羊人弱枢滩绵浇IC制造材料结构与理论IC制造材料结构与理论