文档介绍：思考题:1、说明表面光电压谱测量原理;并列举两种表面光伏测量方法2、利用表面光电压谱方法测量材料的禁带宽度3、说明染料敏化光电气敏的检测原理梢实二阿乏段摧欧柬凯俞坷烩尼辅反嘻肯自妨颠砧洪肪肩氮吟晰毒胀美汐表面光电压谱表面光电压谱Date1表面光伏现象:原理、半导体材料导电类型的确定少数载流子扩散距离的测定表面态参数的测定纳米尺度表面光伏特性研究表面光伏气敏特性研究谱带认证团堪宽瘫笨全浙石硬救烹孵氮庸蹈兆药哼萄辩享括哗四徊磷佐谤肺被帐标表面光电压谱表面光电压谱Date340-50年代,Brattain和Bardeen诺贝尔讲演揭开了表面光伏研究的序幕60年代,Johnson和Goodman等人利用SPV方法测量了少数载流子的寿命,并发展了少数载流子扩散长度的理论模型,奠定了硅太阳能电池的基础。70年代,Gatos等人系统地进行了亚带表面光伏的研究,对半导体的表面态进行了研究。90年代,SPV相关技术发展的最活跃,Lagowski等人用SPV扫描Si片表面,结合扫描探针技术的尖得到SPV测量,较大的改善了分辨率。骏厚隆侣第***去列蛀新区簿碌苗辛陷朔秧占桐僚唤屁尹疑猫驻驴袭欧遗表面光电压谱表面光电压谱Date4SurfacePhotovoltagephenomena:Theory,,YShapiraSurfaceScienceReports254(1999)1---,p-型(上图)和n-型(下图)半导体与金属形成的势垒接触。固/固液/固气/-型(左图)和p-型(右图)半导体材料在光诱导下,表面势垒高度(Vs)的变化过程。,一侧保持暗态,另一侧受光照射,两侧表面势垒高度(Vs)的变化。h暗态啃座蓉笨侦灭乐了躯阴瘫游馋俘耍拆杖帐涛淹哨沈赦聪森他踩实妊凿捆慎表面光电压谱表面光电压谱Date10