文档介绍：博士学位论文中国科学技术大学壤胱犹澹胱邮教ńㄉ栌硅基纳米材料的调控生长作者姓名:学科专业:导师姓名:完成时间:柯博等离子体物理朱晓东教授二欢晔
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口保密中国科学技术大学学位论文原创性声明中国科学技术大学学位论文授权使用声明本人声明所呈交的学位论文,是本人在导师指导下进行研究工作所取得的成果。除已特别加以标注和致谢的地方外,论文中不包含任何他人已经发表或撰写过的研究成果。与我一同工作的同志对本研究所做的贡献均已在论文中作签字日期:作为申请学位的条件之一,学位论文著作权拥有者授权中国科学技术大学拥有学位论文的部分使用权,即:学校有权按有关规定向国家有关部门或机构送交论文的复印件和电子版,允许论文被查阅和借阅,可以将学位论文编入《中国学位论文全文数据库》等有关数据库进行检索,可以采用影印、缩印或扫描等复制手段保存、汇编学位论文。本人提交的电子文档的内容和纸质论文的内保密的学位论文在解密后也遵守此规定。了明确的说明。作者签名:容相一致。口公开导师签名:.
摘要电参数懦∥恍危梗β实下的时和等离子体参数。在典型条件下,心等离子体的电子密度基本保持在放电模式的转变和等离子体参数的变化。对于心和毫街值壤胱犹澹缱用芏高密度等离子体在包括离子注入、等离子体刻蚀和沉积在内的等离子体工艺中有着重要的应用。微波电子回旋共振等离子体堑湫偷母呙芏鹊壤胱犹之一,迄今己发展多种形式的壤胱犹逶醇盎贓放电的离子源,它们具有结构简单、工作稳定、寿命长等优点。硅基一维纳米材料是纳米电子、光电子基础元件之一。一维硅基纳米结构的可控生长,包括结构和物理特性的控制,本论文开展高密度壤胱犹迨笛槠教ǖ慕ㄉ杓霸诠杌擅撞牧仙ど的应用研究。论文建设了高密度壤胱犹逶矗胱釉词笛槠教ǎ芯苛说壤子体/离子束的束流参数;开展了淦等离子体硅基纳米材料的制备及调控生长研究;初步进行了高密度壤胱犹褰鹗鬋∧さ某粱=窈多元的复合磁性材料的物理性能研究提供了基础。建设了高密度壤胱犹逶矗胱釉词笛槠教ǎü。而等离子体的电子密度要至少低于等离子体一个数量级。通过改变等离子体束孔大小研究了等离子体随束孔的减小都会下降,但是旱壤胱犹宓哪J教涞惴⑸浠医龀鱿忠次模式跳变。在呙芏鹊壤胱犹逶吹幕∩仙杓萍庸ち硕嗫缀偷タ桌胱釉矗对离子源的离子通量作了初步的估算。使用多孔引出电极时离子通量处于甋的数量级水平;使用单孔电极时离子通量要高出一个数量级,可以达到以7从ζ澹谏淦灯笶等离子体装置上进行了氧化硅薄膜沉积研究。偏压对氧化硅薄膜沉积速率和薄膜中的化学键结构产生有意义的影响。小的直流自偏压会略微提高沉积速率;但随着直流自偏压的增强,离子轰击效应及刻蚀作用加强,薄膜的沉积速率下降。:旱跫乱8叩枚啵庑┕榻嵛8咂的射频偏压应用不仅增强离子轰击效应,而且与体等离子体相互作用,使高活性的氧原子增多;而低频偏压的作用主要是增强离子轰击效应。以瓾旌掀T雌澹员攘薊和等离子体合成硅基纳米线的一直是纳米结构生长研究的重要方向。弓数量级水平,其中在气压为射频偏压下薄膜中的碳成分比例比.,‘
差异。在低气压的壤胱犹逯校擅紫呓隙蹋收胱矗蹦擅紫呶6嗫结构。在较高气压的电容耦合等离子体擅紫叱で揖龋っ芏纫较高。两种等离子体中合成的纳米线均由大量微小的纳米晶体颗粒以及非晶成分为了实现纳米线的可控生长,我们将壤胱犹宓墓β实缂猛芴娲形成射流等离子体,引入气流的影响。在六甲基乙硅氧烷疕疉壤子体中,实现了有铜掺杂的擅捉峁沟挠行蛏ぁT诘偷腍的浓度下得到纳米线的树状生长。垂直于衬底的气流促使了纳米线初始的直立生长,气相环境中铜的引入造成纳米线的二次催化生长出现球状结构。而高的的浓度下,过多的有机成分阻碍纳米线结构的形成,但在极少数区域发现对纳米线可控生长有参考意义的纳米结构。当基底引入射频偏压后,更多的铜被加速向基底输运,抑制金催化的纳米线生长,而出现类水母的纳米结构。铜对纳米结构的二次催化为硅基纳米材料掺杂元素的引入提供了不同的思想。在高密度壤胱犹迨笛槠教ㄉ辖蠧こ粱目尚行蕴教郑:笮对膜进行掺杂,研究复合体系的磁特性奠定基础。射频偏压下的膜在磁特性检测中显示良好的磁性,接近于单晶薄膜。而直流偏压下的膜的晶粒取向比射频偏压更多,各向异性更明显。关键词:壤胱犹澹胱釉矗杌擅撞牧希珻判员∧构成。摘要
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第一章绪论⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯.⋯⋯⋯⋯⋯..高密度壤胱犹澹胱釉词笛槠教ńㄉ琛录目高密度微波电子回旋共振等离子体源/离子源⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯.硅基纳米线综述⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯.本论文的主要工作⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯..⒉ǖ壤