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’:采用双极脉冲磁控反应溅射法在不同参数条件下制备了一系列氮化硅薄膜。利用数字式显徽镜和紫..·第卷第月文章编号:外杉夤馄滓茄芯苛顺粱∧さ谋砻嫘蚊布捌涔庋Т叮霉步瓜晕⑼新馄滓潜冉狭斯璩牡住⒌;薄膜退火前后的托曼光谱。,制备的薄膜主要为富硅氮化硅薄膜。;,平均尺寸约为关键词:富硅氮化硅薄膜;磁控溅射:;拉曼光谱;光学带隙中图分类号:文献标识码:.可再生能源材料先迸技术与制备教育部重点实验室,云南昆明颇鲜Ψ洞笱獽苎芯克颇侠ッ保琘畓耄琀琄:.—琭,.瑃甀.,收稿日期:盒薅冢基金项目:同家门然科学基金联合蕈台资助项目作者简介:林娟,女,四川眉山人,主璺从事光伏科学与獭⒐杌∧,,·,:甤—篠,;;—;籵,
万方数据
燃豳麟燃引实验峁胩致言氮化硅薄膜是一种多功能材料,在许多领域有着广泛的应用。由壕哂辛己玫木敌阅芗翱水汽渗透能力,且能有效阻、等杂质的扩散。凶此在微电子ⅱ隝;璞∧ねǔ1挥作绝缘层、机械保护层、扩散阻挡层及硅选择性氧化的掩模。另外,,⒌玫窖杆俜⒄埂!O纸锥危孀鸥效太阳电池材料研究的不断深人,硅纳米颗粒镶嵌的介质薄膜还柩趸韬透还璧;凶具有带隙可调等优势,可用票感滦吞舻绯闾舻绯亍⒅屑浯舻绯睾投嗉ぷ硬型太阳电池鸾コ晌P滦吞舻绯匮芯康娜点之一。对于硅纳米颗粒镶嵌的介质薄膜,Ⅱ,因此许多研究者开始将目光转向富硅氮化硅薄膜。,,从而使富硅氮化硅簿膜的发光性质较富硅氧化硅薄膜更加复杂!R虼耍谘芯扛还璧;璞∧。本文采用具有衬底温度低、膜层附着牢同、重复性好、不需引入有害气体等独特优点的磁控反应溅射技术制备富硅氮化硅薄膜,并对薄膜进行了显微镜观测、,对薄膜的友而彤貌、光学惜隙和薄膜结构进行了研究,薄膜的制备实验采用双极脉冲磁控反应溅射技术制备富硅氮化硅薄膜。溅射靶材为直径,厚的高纯靶.。溅射气体和反应气体分别为高纯%透叽縉:%衬底为偷ゾ婊镀膜前,.,.先对靶预溅射匀コ砻嬖又剩酵ㄈ敫叽鹘赥作气压和溅射功,牢,。反应参数丰要包括溅射时间、溅射功率和氮气流量等。本实验制备的薄膜样品的沉积参数分别为:ι涔βFι涫蔽史直鹞,,,。溅射时间F流量/ι涔β史直鹞,,,;ι涔βι涫F髁糠直鹞,,;/T诔粱谋∧ぱ分醒择方型嘶鸫恚谠事鶱,的快速光热退火炉中进行快速热邀火处理。,测