文档介绍：。(1)利用硅二极管恒压降模型求电路的ID和Vo的值;(2)在室温(300K)的情况下,利用二极管的小信号模型求vo的变化范围。解(1)求二极管的电流和电压(2),温度T=300K。当rd1=rd2=rd时,则的变化范围为,~。,试判断图中的二极管是导通还是截止,并求出AO两端电压VAO。设二极管是理想的。解图a:将D断开,以O点为电位参考点,D的阳极电位为-6V,阴极电位为-12V,故D处于正向偏置而导通,VAO= –6V。图b:D的阳极电位为-15V,阴极电位为-12V,D对被反向偏置而截止,VAO=-12V。图c:对D1有阳极电位为0V,阴极电位为-12V,故D1导通,此后使D2的阴极电位为0V,而其阳极为-15V,故D2反偏截止,VAO=0V。图d:对D1有阳极电位为12V,阴极电位为0V,对D2有阳极电位为12V,阴极电位为-,此后使VA=-6V;D1反偏而截止,故VAO=-6V。,为什么?解图a:将D断开,以“地”为电位参考点,这时有 D被反偏而截止。图b:将D断开,以“地”为参考点,有 D被反偏而截止。图c:将D断开,以“地”为参考点,有 D被正偏而导通。,D1,D2为硅二极管,当vi=6sinωtV时,试用恒压降模型和折线模型(Vth=,rD=200Ω)分析输出电压vo的波形。解(1)恒压降等效电路法当0<|Vi|<,D1、D2均截止,vo=vi;当vi≥;D1导通,D2截止,vo=;当vi≤,D2导通,D1截止,vo=-。。(2),图中Vth=,rD=200Ω。当0<|Vi|<,D1,D2均截止,vo=vi;vi≥,D1导通,D2截止。vi≤-,D2导通,D1截止。因此,当vi≥,vi≤-,可求出类似结果。。,设输入电压vI(t)波形如图b所示,在0<t<5ms的时间间隔内,试绘出vo(t)的波形,设二极管是理想的。解vI(t)<6V时,D截止,vo(t)=6V;vI(t)≥6V时,,设二极管是理想的。(a)画出它的传输特性;(b)若输入电压vI=vi=20sinωtV,试根据传输特性绘出一周期的输出电压vo的波形。解(a)画传输特性0<vI<12V时,D1,D2均截止,vo=vI;vI≥12V时,D1导通,D2截止-10V<vI<0时,D1,D2均截止,vo=vI;vI≤-10V时,D2导通,。(b)当vo=vI=20sinωtV时,。,假设它们的参数V2和正向特性的Vth、rD为已知。试绘出它的传输特性。解当|vI|<(Vz+Vth)时,Dzl、DZ2均截止,vo=vI;|vI|≥(Vz+Vth)时,Dzl、。、B、C的对地电位分别为VA=-9V,VB=一6V,Vc=,试分析A、B、C中哪个是基极b、发射极e、集电极c,并说明此BJT是NPN管还是PNP管。解由于锗BJT的|VBE|≈,硅BJT的|VBE|≈,已知用BJT的电极B的VB=一6V,电极C的Vc=–,电极A的VA=-9V,故电极A是集电极。又根据BJT工作在放大区时,必须保证发射结正偏、集电结反偏的条件可知,电极B是发射极,电极C是基极,且此BJT为PNP管。。并简述理由。(设各电容的容抗可忽略)。因Rb=0,一方面使发射结所加电压太高,易烧坏管子;另一方面使输人信号vi被短路。,电路偏置正常,且交流信号能够传输。,因电容Cbl隔断了基极的直流通路。,的极性接反。,试判别管子工作在什么区域。(a)VC=6VVB==0V(b)VC=6VVB=2VVE=(c)VC=6VVB=6