文档介绍：晶体管模型“HiSIM_SOI”已成国际标准本文摘要:近日,广岛大学开发的晶体管模型“HiSIM_SOI”已成为国际标准。本文就该晶体管模型进行了详细介绍。 HiSIM_SOI是SOI基板上的晶体管的模型,已于2012年7下旬被电路模拟用晶体管模型(即集约模型)国际标准化机构“pactModelingCouncil”接纳为SOI晶体管的CMC标准。 HiSIM_SOI的基础是Bulk基板MOS晶体管模型“HiSIM2:Hiroshima-universitySTARCIGFETModel2”。这是广岛大学在日本半导体理工学研究中心(STARC)的协助下开发的,已于2011年4月被选为CMC标准。将HiSIM2扩展到高耐压晶体管的“HiSIM_HV”(最初名称为“HiSIMLDMOS”)于2007年12月被选为CMC标准。此次,HiSIM_SOI又被选为CMC标准,这样日本共有三个HiSIM模型成为国际标准。据出席会议的独立行政法人日本产业技术综合研究所(产综研)介绍,获得三个CMC标准的全球只有美国加州大学伯克利分校(UCB)和广岛大学两所学校。不过,据产综研介绍,在UCB的三个CMC标准中,BSIM(BulkMOS晶体管)和BSIM-SOI都是老一代晶体管模型(即阈值电压模型),而广岛大学的HiSIM模型都是克服了阈值电压模型弱点的表面电位模型,从发展前景来看,可以说广岛大学的三个CMC标准模型比UCB的三个标准模型更胜一筹。易于应用于太阳能电池等的模型广岛大学教授三浦道子和MattauschHansJurgen(兼任广岛大学HiSIM研究中心主任)对模型做了技术讲解。据两人介绍,SOIMOSFET含有绝缘层,因此比BulkMOSFET构造复杂,HiSIM_SOI的开发花费了10年多的时间。不过,今后容易用于正在推进实用化的新一代晶体管,三浦自信地说,“将来还能获得多项CMC标准”。图BulkMOSFET(左)与SOIM