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文档介绍：第三章电磁屏蔽技术?屏蔽材料的选择?实际屏蔽体的设计电磁屏蔽屏蔽前的场强E1屏蔽后的场强E2对电磁波产生衰减的作用就是电磁屏蔽,电磁屏蔽作用的大小用屏蔽效能度量: SE = 20 lg ( E1/ E2 ) dB 实心材料屏蔽效能的计算入射波场强距离吸收损耗AR1R2SE = R1 + R2 + A+B= R+ A+BB波阻抗的概念波阻抗电场为主E ? 1/ r3 H ? 1 / r2磁场为主H ? 1/ r3 E ? 1/ r2平面波E ? 1/ r H ? 1/ r377?/ 2?到观测点距离rE/H?吸收损耗的计算t入射电磁波E0剩余电磁波E1E1 = E0e-t/?A =20 lg ( E0 / E1 ) = 20 lg ( e t / ?) ?A = ( t / ?) dBA = t ? f ?r?r dB反射损耗R =20 lgZW4 Zs反射损耗与波阻抗有关,波阻抗越高,则反射损耗越大。ZS = ?10-7? f ?r/?r远场:377?近场:取决于源的阻抗同一种材料的阻抗随频率变不同电磁波的反射损耗远场: R =20 lg3774 Zs4500Zs = 屏蔽体阻抗,D = 屏蔽体到源的距离(m)f = 电磁波的频率(MHz)2 D fD f Zs Zs电场: R =20 lg磁场: R =20 1k 10k 100k 1M 10M 100M平面波3? 108 / 2?rfR(dB)r = 30 m电场r = 1 m靠近辐射源r = 30 m磁场r = 1 m靠近辐射源综合屏蔽效能() 1k 10k 100k 1M 10M高频时电磁波种类的影响很小电场波r = m磁场波r = m屏蔽效能(dB)频率多次反射修正因子的计算电磁波在屏蔽体内多次反射,会引起附加的电磁泄漏,因此要对前面的计算进行修正。B = 20 lg ( 1 - e -2 t / ?)说明:?B为负值,其作用是减小屏蔽效能?当趋肤深度与屏蔽体的厚度相当时,可以忽略?对于电场波,可以忽略