文档介绍：磷化铟晶体半导体材料的研究综述文献综述课题名称磷化铟晶体半导体材料的研究学生学院机电工程学院专业班级2013级机电(3)班学号学生姓名王琮指导教师路家斌2017年01月06日中文摘要磷化铟(InP)已成为光电器件和微电子器件不可或缺的重要半导体材料。本文详细研究了快速大容量合成高纯及各种熔体配比条件的InP材料;大直径lnP单晶生长;与熔体配比相关的缺陷性质;lnP中的VIn心相关的缺陷性质和有关InP材料的应用,本文回顾了磷化铟(InP)晶体材料的发展过程,介绍了磷化铟材料的多种用途和优越特性,深入分析InP合成的物理化学过程,国际上首次采用双管合成技术,通过对热场和其它工艺参数的优化,实现在60—。通过对配比量的调节,实现了熔体的富铟、近化学配比,富磷等状态,:磷化铟磷注入合成晶体材料器件ABSTRACTIndiumPhosphide(InP)—rystalgrowthmethodtopreparehighpurityandvariousmeltstoichiometryconditionspolycrystallineInPandtogrowhighquality,,wehaveobtainedtheabstractthispaperlooksbackthedevelopingprocessonthebulkInPcrystals,introducesvarioususesandsuperiorcharacteroftheInPmaterialsandalargequantityofhighpurityInPcrystalmaterialhasbeenproducedbythephosphorusin-situinjectionsynthesisandliquidencapsulatedCzochralski(LEC),-,melttemperature,phosphorusexcess,—60009stoichiometrichighpuritypolyInPissynthesizedreproduciblybyimprovedP-injectionmethodinthehigh—:InP,P-injectionsynthesis,Crystal,Material,Device引言磷化铟(InP)是重要的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料之一,是继Si、GaAs之后的新一代电子功能材料。几乎在与锗、硅等第一代元素半导体材料的发展和研究的同时,科学工作者对化合物半导体材料也开始了大量的探索工作。1952年Welker等人发现Ⅲ族和Ⅴ族元素形成的化合物也是半导体,而且某些化合物半导体如GaAs、InP等具有Ge、Si所不具备的优越特性(如电子迁移率高、禁带宽度大等等),能够在微波及光电器件领域有广泛的应用,因而开始引起人们对化合物半导体材料的广泛注意。但是,由于这些化合物中含有易挥发的Ⅴ族元素,材料的制备远比Ge、Si等困难。到50年代末,科学工作者应用水平布里奇曼法(HB)、温度梯度法(GF)和磁耦合提拉法生长出了GaAs、InP单晶,但由于晶体太小不适于大规模的研究。1962年Metz等人提出能够用液封直拉法(LEC)来制备化合物半导体晶体,1965~1968年Mullin等人第一次用三氧化二硼(B2O3)做液封剂,用LEC法生长了GaAs、InP等单晶材料,为以后生长大直径、高质量Ⅲ-Ⅴ族单晶打下了基础,InP材料的研究也才真正开始。但由于InP在熔点温度1335±7K时,