文档介绍：杭电电力电子技术期末考试电力电子器件实际应用中的一般系统组成P11。答:控制电路+驱动单路+以电力电子器件为核心的主电路.(或直接说主电路+控制电路)由信息电子电路组成的控制电路按照系统的工作要求形成控制信号,通过驱动电路去控制主电路中电力电子器件的导通或关断,来完成整个系统的功能。电导调制效应(P15),肖特基二极管的优点。(P19答:当PN结上流过的正向电流较小的时候,二极管的电阻主要是作为基片的低掺杂N区的的欧姆电阻,其阻值较高且为常量,因此管压降随着正向电流的上升而增加;当PN结的正向电流较大时,由P区注入并积累在低掺杂N区的少子空穴浓度将很大,为维持半导体的电中性条件,其多子浓度也相应大幅度增加,使其电阻率明显下降,也就是电导率大大增加。优点:,,。因此,其开关损耗和正向导通损耗都比快速二极管还要小,效率高。缺点:反向耐压提高时正向压降也会过高,只能满足200V以下低压场合,反向漏电流过大且对温度敏感,因此反向稳态损耗不能忽略,必须严格控制工作温度。晶闸管特性,如开通条件,关断条件等。答:门极触发驱动电路,半控型器件,(1)当晶闸管承受反向电压时,不论门极是否有触发电流,晶闸管都不会导通;当晶闸管承受正向电压时,仅在门极有触发电流时晶闸管才导通。晶闸管一旦导通后,不论门极电流还在不在,晶闸管都保持导通。若要关断导通的晶闸管,只能加反向电压和外电路的作用,使流过晶闸管的电流降到接近0的某以数值以下。晶闸管的两种特性::使电路输出不再具有交变性质。:使电路输出功率可依从给定信号变化;当给定信号保持一定时,能在外扰的作用下,维持输出量不变。IGBTGTR(电力晶体管)SCRMOSFET器件各自优缺点。速度,全控,半控,电流,电压,载流子等。MOS管特点,正向平均电流定义。答:(1)GTR(电力晶体管)P27:双极性电流驱动器件,全控型,少子器件。优点:耐压高,电流大,开关特性好,通流能力强,饱和压降低。缺点:但是电流增益β小,电流容量小,驱动功率大,电路复杂,开关速度慢;驱动电路复杂,存在二次击穿。GTO(门极可关断晶闸管)双极性电流驱动器件:全控型,少子器件优点:电压,电流容量大,适用于大功率场合,其通流能力很强;缺点:电流关断增益很小,关断时门极负脉冲电流大,开关速度低。驱动功率大,驱动电路复杂,开关频率低。单极性电压驱动器件MOSFET(P30)全控型,单极型器件(多子器件)。优点:驱动电路简单,需要驱动功率小;开关速度快,工作效率高。热稳定性优于GTR。不存在二次击穿问题。缺点:工作电流小,击穿电压低,多用于功率不超过10KW的电力电子装置。(SCR(晶闸管P20):半控型,优点:脉冲触发,驱动功率小,电压,电流等级大,价格低;缺点:开关损耗大,工作频率低,关断复杂;绝缘栅双极晶体管P36)IGBT复合型电力电子器件:全控型,混合器件,电压驱动。优点:开关速度快,开关损耗小,安全工作区大,具有耐脉冲电流冲击的能力;通态压降低;输入阻抗高;耐压,通流能力比MOSFET和CTR都高,保持开关频率高的特点,电压驱动,驱动功率小。缺点:是导通电压降稍大,电流、电压容量不大;总结:单极型和复合型都是电压驱动,双极型均为电流驱动。电压驱动(都是电平控制型器件):所需驱动功率小,驱动电路简单,输入阻抗高,工作频率高。电流驱动:具有电导调制效应,因而通态压降低,导通损耗小,但是工作频率低,所需驱动功率大,驱动电路复杂。正向平均电流定义IF(AV)P18: 电力二极管在连续运行条件时,器件在额定结温和规定的散热条件下,允许流过的最大工频正弦半波电流的平均值。在使用时,应按照工作中实际波形的电流与电力二极管所允许的最大工频电流在流过电力二极管时所造成的热效应相等,即两者的有效值相等的原则来选取电力二极管的电流定额,并留出一定裕量。MOS管特点:SCRGTR驱动电路分析,缓冲电路各部分作用。答:GTR为电流驱动,基极驱动电流应使其处于准饱和导通状态(即临界饱和状态)(贝克钳位电路),使之不进入放大区或深饱和区。关断GTR时,施加一定的负基级电流有利于减小关断时间和关断损耗,关断后同样在基射极之间加一个负偏压(6V左右。)(驱动电路:控制电路与主电路之间的接口,性能良好的驱动电路可使电力电子器件工作在较理想的开关状态,还提供控制电路和主电路之间的电气隔离环节。)单向半波、桥式、三相半波在电阻负载,阻感负载时的电路分析,波形分析,以及移相范围、晶闸管上承受的最大正、反电压。有源逆变的条件。触发角α、功率因数和谐波之间的关系。答:(P70)功率因数=有功功率P/视在功率S(P71)有功功率P=UI1COS,功率因数=基波因素*基波功率因数(交流侧接电源P84)有源逆变的条件:要有直流电动势,其极性需和晶闸管的导通方向一致,其值应大于变流器直流