文档介绍：模拟电子技术基础-。,若掺入微量的五价元素,则形成N型半导体,其多数载流子是电子;若掺入微量的三价元素,则形成P型半导体,其多数载流子是空穴。,这种特性称为单向导电性。,二极管的反向饱和电流将增大,正向压降将减小。,将交流电变为单向脉动的直流电。稳压二极管是利用二极管的反向击穿特性实现稳压的。。,它工作时需加反向偏置电压。,V,该二极管的直流电阻等于650Ω,交流电阻等于26Ω。,多数载流子的浓度主要取决于(C)。,其大小随反向电压的增大而(B)。,其直流电阻将(C)。(D)。、,可将其改型为P型半导体。(√),所以它带负电。(×)。(×)。(×),它工作时有2种载流子参与导电。,集电结反偏。,分别是放大、饱和、截止。,晶体管的参数β增大,ICBO增大,导通电压UBE减小。,如果基极电流从10μA变化到20μA时,mA,则交流电流放大系数β约为99。=20mA、PCM=100mW、U(BR)CEO=30V,因此,当工作电压UCE=10V时,工作电流IC不得超过10mA;当工作电压UCE=1V时,IC不得超过20mA;当工作电流IC=2mA时,UCE不得超过30V。,测得UBE=0V,UBC=—5V,则可知管子工作于(C)状态。,3DG6为(B)。(C)时,可利用H参数小信号电路模型对放大电路进行交流分析。=0时,(B)管不可能工作在恒流区。。(×)、噪声低、热稳定性好等优点。(√),应工作于饱和区。(√),试判断其工作状态。解:(a)UBE=UB—UE=—0=,发射结正偏;UBC=UB—UC=—3=—V,集电结反偏因此晶体管工作在放大状态。(b)UBE=UB—UE=2—3=—1V,发射结反偏;UBC=UB—UC=2—5=—3V,集电结反偏因此晶体管工作在截止状态。(c)UBE=UB—UE=3—=,发射结正偏;UBC=UB—UC=3—=,集电结正偏因此晶体管工作在饱和状态。(d)该管为PNP型晶体管UEB=UE—UB=(—2)—(—)=,发射结正偏;UCB=UC—UB=(—5)—(—)=—,集电结反偏因此晶体管工作在放大状态。,试图中所有电容对交流信号的容抗近似为零,试画出各电路的直流通路、交流通路和小信号等效电路。=10mV,输出电压U0=1V,该放大电路的电压放大倍数为100,电压增益为40dB。,放大电路向信号源索取的电流就越小,输入电压也就越大;输出电阻越小,负载对输出电压的影响就越小,放大电路的负载能力就越强。,电压放大倍数近似为1,输入电阻大,输出电阻小。=1V,Ui2=V,则它的差模输入电压Uid=V,共模输入电压UiC=V。,对共模输入信号具有很强的抑制作用,差分放大电路的零点