文档介绍：代号 10701 学号 09171110298
分类号 TN4 密级公开
题(中、英文)目新型氮化物 InAlN 半导体异质结构与 HEMT 器件研究
Study on the Novel Nitride InAlN Semiconductor
Heterostructures and HEMT Devices
作者姓名薛军帅指导教师姓名、职务郝跃教授
学科门类工学学科、专业微电子学与固体电子学
提交论文日期 2013 年 4 月
西安电子科技大学
博士研究生学位论文
新型氮化物 InAlN 半导体异质结构与 HEMT
器件研究
作者:薛军帅
导师:郝跃教授
学科:微电子学与固体电子学
中国西安
2013 年 4 月
Study on the Novel Nitride InAlN
Semiconductor Heterostructures and HEMT
Devices
A Dissertation Submitted to
Xidian University
in Candidacy for the Degree of Doctor of Philosophy
in
Microelectronics and Solid-State Electronics
by
XUE JunShuai
Xi’an, P. R. China
April 2013
作者简介
薛军帅,甘肃平凉人,生于 1984 年 10 月。2007 年 7 月毕
业于西安电子科技大学,获学士学位。2007 年 8 月就读于西安
电子科技大学攻读硕士学位,2009 年 8 月提前攻读博士学位,
于 2013 年 6 月获西安电子科技大学工学博士学位。导师:郝
跃教授。
主要研究方向:新型氮化物 InAlN 半导体异质结构材料与
HEMT 器件的外延制备和特性研究。包括新型氮化物异质结材
料结构设计和外延生长、脉冲式金属有机物化学气相淀积技术、异质结材料表征
和输运特性研究、高频毫米波 HEMT 器件制备和性能分析等。
代表性成果和奖励:2010 年 9 月获校“优秀研究生”和“优秀研究生干部”
称号,2011 年 9 月获校“特等奖学金”和“研究生标兵”称号,2011 年 10 月获校
“优秀博士学位论文基金”资助,2012 年 7 月被评为西安电子科技大学优秀共产
党员,2012 年 12 月获校研究生学术年会“校级最佳论文奖”和国家“博士研究
生奖学金”,2013年3月获“优秀研究生毕业生”称号。已在《Applied Physics Letters》、
《Journal of Applied Physics》、《Journal of Crystal Growth》、ICCG、ICNS、IWN 等
国际学术期刊和国际会议上发表学术论文 30 多篇,其中第一作者 12 篇。授权国
内专利两项,参与国家重大科技专项、国家高技术研究发展计划(863 计划)、国
家重点基础研究发展计划(973 计划)、和国家自然科学基金重大项目等研究,其
中《氮化物半导体器件材料技术》获陕西省科学技术奖一等奖。
JunShuai Xue, was born in Pingliang, GanSu Province, People’s Republic of China,
in Oct 1984. He received his . degree in Material Science and Engineering from
Xidian University, Xi’an, China, in Jul 2007, and worked toward for . degree in
Microelectronics and Solid State Electronics in Xidian University, in Aug 2007. He
pursued the degree in Electron Science and Technology in advance in Xidian
University, in Aug 2009 under the supe