文档介绍：晶圆技术说明书PHOTO流程?答:上光阻一曝光一顯影一顯影後檢查->CD量測一Overlay量測何为光阻?其功能为何?其分为哪两种?答:,其作用是将Pattern从光罩上传递到Wafer上的--种介质。其分为正光阻和负光阻。何为正光阻?答:正光阻,是光阻的一种,这种光阻的特性是将其曝光之后,感光部分的性质会改变,并在之后的显影过程中被曝光的部分被去除。何为负光阻?答:负光阻也是光阻的一种类型,将其曝光之后,感光部分的性质被改变,但是这种光阻的特性与正光阻的特性刚好相反,其感光部分在将来的显影过程中会被留下,而没有被感光的部分则被显影过程去除。什幺是曝光?什幺是显影?答:曝光就是通过光照射光阻,使其感光;显影就是将曝光完成后的图形处理,以将图形清晰的显现出来的过程。何谓Photo?答:Photo=Photolithgraphy,光刻,将图形从光罩上成象到光阻上的过程。 Photo主要流程为何?答:Photo的流程分为前处理,上光阻,SoftBake,曝光,PEB,显影,HardBake等。何谓PHOTO区之前处理?答:在Wafer±涂布光阻之前,需要先对Wafer表而进行一系列的处理工作,以使光阻能在后面的涂布过程中能够被更可靠的涂布。前处理主要包括Bake,HDMS等过程。其中通过Bake将Wafer表面吸收的水分去除,然后进行IIDMS工作,以使Wafer表面更容易与光阻结合。何谓上光阻?答:上光阻是为了在Wafer表面得到厚度均匀的光阻薄膜。光阻通过喷嘴被喷涂在高速旋转的Wafer表而,并在离心力的作用下被均匀的涂布在Wafer的表面。何谓SoftBake?答:上完光阻之后,要进行SoftBake,其主要目的是通过SoftBake将光阻中的溶剂蒸发,并控制光阻的敏感度和将来的线宽,同时也将光阻中的残余内应力释放。何谓曝光?答:曝光是将涂布在Wafer■表面的光阻感光的过程,同时将光罩上的图形传递到Wafer上的过程。何谓PEB?答:PEB是在曝光结束后对光阻进行控制精密的Bake的过程。其目的在于使被曝光的光阻进行充分的化学反应,以使被曝光的图形均匀化。何谓显影?答:显影类似于洗照片,是将曝光完成的Wafer进行成象的过程,通过这个过程,成象在光阻上的图形被显现出来。何谓HardBake?答:HardBake是通过烘烤使显影完成后残留在Wafer上的显影液蒸发,并且固化显影完成之后的光阻的图形的过程。何为BARC?何为TARC?它们分别的作用是什幺?答:BARC=BottomAntiReflectiveCoating,TARC=,TARC则是被涂布在光阻上表面的一层减少光的反射的物质。他们的作用分别是减少曝光过程小光在光阻的上下表面的反射,以使曝光的大部分能量都被光阻吸收。何谓I-line?答:曝光过程中用到的光,由MercuryLamp产牛,其波长为365nm,其波长较长,因此曝光完成后图形的分辨率较差,可应用在次重要的层次。何谓DUV?答:曝光过程中用到的光,其波长为248nm,其波长较短,因此曝光完成后的图形分辨率较好,用于较为重要的制程中I-line与DUV主要不同处为何?答:光源不同,波长不同,因此应用的场合也不同。I-Line主要用在较落后的制程或者较先进制程的Non-CriticallayeroDUV则用在先进制程的Criticallayer±o何为ExposureField?答:曝光区域,一次曝光所能覆盖的区域何谓Stepper?其功能为何?答:一种曝光机,其曝光动作为Stepbystep形式,次曝整個exposurefield,一個一個曝過去何谓Scanner?其功能为何?答:一种曝光机,其曝光动作为Scanningandstep形式,在一個exposurefield曝光時,先Scan完整個field,?答:代表透镜成象的能力,?答:ExposureField大,象差较小曝光最重要的两个参数是什幺?答:Energy,Focus。如果能量和焦距调整的不好,就不能得到要求的分辨率和要求大小的图形,主要表现在图形的CD值超出要求的范围。因此要求在生产时要时刻维持最佳的能量和焦距,这两个参数对于不同的产品会有不同。何为Reticle?答:Reticle也称为Mask,翻译做光掩模板或者光罩,曝光过程中的原始图形的载体,通过曝光过程,这些图形的信息将被传递到芯片上。何为Pellicle?答:Pellicle是Reticle上为了防止灰塵或者微塵粒子落在光罩的图形而上的一层保护膜。何为OP