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溶剂热法制备CdTe纳米带及其机理分析.pdf

上传人:ddrdtsv015 2014/3/29 文件大小:0 KB

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文档介绍

文档介绍:万方数据
溶剂热法制备纳米带及其机理分析木引言李先卯,简基康,吴荣,孙言飞,李锦—,,又是唯一通过掺杂可以表现出突騨型导电特性的—族半导体化合物昀碿牧系闹票负脱芯坑了较大的发展,—⒅本段笥业哪擅锥贪簦⑻岢鲂分子配位理论【,该研究小组又在水合肼、氨水和三乙烯四胺等溶剂中,分别制备出了长度不等的纳米短棒昀钛嵌靶∽樵谇懊孀龀龆贪舻幕∩希ü治鲇谢藁春衔锏贸鲆叶本文以氯化镉.、碲粉为源,硼氢化钾为还原剂,使用溶剂热法制备了厚笥遥——、扫描电子显微镜文章编号:——.—琂,鍯第卷第年新疆大学学报匀豢蒲О摘要:和紫外可见吸收光谱等测试手段对产物的物相、、镉源和反应时间对产物物相和形貌的影响,,用粉为镉源时,,产物为棒状和无定形颗粒,反应时间过长,,:溶剂热;碲化镉;纳米带;硼氢化钾中图分类号:.文献标识码:猣,琍.,—,.崭迦掌冢基金项目:新疆维吾尔自治区自然科学基金项目恍陆笱Р┦靠蒲衅舳鹣钅作者简介:李先卯,男,硕士研究生,:李锦┦,,,:畐’..,..甆
万方数据
实验可作为良好的分子模板指导一维纳米材料合成杂贑牧希唤隹梢栽谟谢》肿幽0逑潞铣梢维纳米结构,⑾諧哪擅卓帕T谑有机物稳定剂的保护下可以重构成结晶纳米线糠盅芯空咭渤⑹允褂闷渌椒ㄖ票窩囊晃擅结构,ǖ懒耸褂萌日舴⒎ㄔ诮鹗纛拇呋饔孟轮票竎ゾ擅装簦纳米结构的合成在存在上述优势的同时,,且氧化性很弱,,,然后在氨水中与源反应,以十六烷基三甲基溴化胺为添加物,生成了纯物相的纳米短棒【加】.当合成的产物物相较好时,相对于相似条件下的硫、硒化合物,碲化物形貌较差【,并让它们和金属盐在水热的条件下发生交换反应,得至/、、擅椎缋隆緉】.年郑荣波等人以与硼氢化钠反应生成缓笫筎R槐豢掌醒跗趸蒚哪擅紫撸源四擅紫呶猅矗蚧二酸8哺俏铮忍跫律闪薈擅紫撸⒂盟龀闪顺⌒秃焐ü獾缱庸堋浚带状纳米材料具有一维生长特点,同时相对同体积的棒和片具有更大的比表面积,又由于纳米材料本身的量子效应、小尺寸效应、表面效应和宏观量子隧道效应,,以NL砑蛹林票赋隽朔湮炎碯擅状罅校在硅捎枚嘣4蓟亓鞣ㄖ票赋龅腃帕NT矗。露认滤却上述成果极大的促进了纳米