文档介绍：1.  何谓PIE? PIE的主要工作是什幺?       答:ProcessIntegrationEngineer(工艺整合工程师),主要工作是整合各部门的资源,对工艺持续进行改善,确保产品的良率(yield)稳定良好。2.  200mm,300mmWafer代表何意义?       答:8吋硅片(wafer)直径为200mm,.  当前中芯国际现有的三个工厂采用多少mm的硅片(wafer)工艺?未来北京的Fab4(四厂)采用多少mm的wafer工艺?       答:当前1~3厂为200mm(8英寸)的wafer,。未来北京厂工艺wafer将使用300mm(12英寸)。4.  我们为何需要300mm?       答:wafersize变大,单一wafer上的芯片数(chip)变多,单位成本降低   200→300,       5. um的工艺能力(technology)代表的是什幺意义?       答:um的栅极线宽。当栅极的线宽做的越小时,整个器件就能够变的越小,工作速度也越快。6. >>>>的technology改变又代表的是什幺意义?       答:栅极线的宽(该尺寸的大小代表半导体工艺水平的高低)做的越小时,工艺的难度便相对提高。->-> ->->代表着每一个阶段工艺能力的提升。7. 一般的硅片(wafer)基材(substrate)可区分为N,P两种类型(type),何谓N,P-typewafer?       答:N-typewafer是指掺杂negative元素(5价电荷元素,例如:P、As)的硅片,P-type的wafer是指掺杂positive元素(3价电荷元素,例如:B、In)的硅片。8. 工厂中硅片(wafer)的制造过程可分哪几个工艺过程(module)?       答:主要有四个部分:DIFF(扩散)、TF(薄膜)、PHOTO(光刻)、ETCH(刻蚀)。其中DIFF又包括FURNACE(炉管)、WET(湿刻)、IMP(离子        注入)、RTP(快速热处理)。TF包括PVD(物理气相淀积)、CVD(化学气相淀积)、CMP(化学机械研磨)。硅片的制造就是依据客户的要求,不断的在不同工艺过程(module)间重复进行的生产过程,最后再利用电性的测试,确保产品良好。9. 一般硅片的制造常以几P几M及光罩层数(masklayer)来代表硅片工艺的时间长短,请问几P几M及光罩层数(masklayer)代表什幺意义?       答:几P几M代表硅片的制造有几层的Poly(多晶硅)和几层的metal(金属导线).的逻辑产品为1P6M(1层的Poly和6层的metal)。而光罩层数(masklayer)代表硅片的制造必需经过几次的PHOTO(光刻).10. Wafer下线的第一道步骤是形成startoxide和zerolayer?其中startoxide的目的是为何?       答:①不希望有机成分的光刻胶直接碰触Si表面。   ②在laser刻号过程中,亦可避免被产生的粉尘污染。11.       为何需要zerolayer?       答:芯片的工艺由许多不同层次堆栈而成的,各层次之间以zerolayer当做对准的基准。12.       Lasermark是什幺用途?Wafe