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电化学合成一奉慵邦阊艏ǖ缛芙饣杨建广唬庥裆,杨济豪率ち,高亮跣∥稀有金属材料与工程随着微电子芯片向超大规模集成电路发展,器件尺寸进一步缩小,铜的电子扩散特性将变得异常显著,在高温烤制元器件时此现象尤其严重。铜在沉积温度下向硅层的扩散会导致铜硅化合物或铜掺杂硅等杂质的形成,这两种杂质均会降低铜硅双层结构的表面性能,严重时甚至使元器件失效。因此,在铜和硅之间镀覆一层扩散阻挡材料十分关键】。而未来微电子元器件的发展还要求铜硅扩散阻挡层在高纵横比猘猺跫禄鼓苡辛己玫牡冉歉哺鞘粜V谱魅绱吮∏倚阅苡帕嫉耐枳挡材料面临巨大的技术挑战。由于∧び帕嫉幕学与热稳定性以及加工过程的相容性,只须很薄时线路中不超过湍苡行ё璧餐硅层的扩散,因而是目前最合适的铜硅阻挡层材料,。采用ひ眨訲綨G扒宄粱齌薄膜具有沉积温度低、沉积层厚度可任意调控、易于实现低成本大面积沉积,且可避免传统五卤化钽过程中产生强腐蚀性氢卤酸或卤素分子而腐蚀设备等一系列优点。惨虼顺晌A四壳癕法制备∧さ淖罴亚扒逯弧目前,国内外关于鲇械闹迫》椒是“卤化物合成法”,即在一定条件下用钽的卤化物与昂贵的有机胺锂盐反应,同时加入大量的稀释剂如甲苯、戊烷.⒓和榈龋玫酱钟谢奉慊衔铮后蒸馏出多余的稀释剂,再减压蒸馏得到高纯有机胺钽化合物【。该工艺制取有机胺钽化合物存在如下缺点:以有机胺锂和卤化钽为原料,价格昂贵,且该方法与现有的湿法提取钽工艺不相配套,需要单独建立氯化与精馏设备,设备材质要求高,氯气为有毒气体,操作条件差;在合成有机胺钽化合物过程中,由于生成大量颗粒细小的卤化锂沉淀,吸附大量的有机胺钽,导致钽的回收率较低;过滤过程中有机胺钽容易吸收空气中的水蒸气发生水解,因此需要有气体保护装置;合成的有机胺钽化合物浓度低,需要蒸发大量的稀释剂。尤其是对于沸点与有机胺钽化合物或卤化钽相近的杂质元素,很难彻底分离干尽。因此该工艺流程长、环境差、回收率低、成本高、不易产业化。在国家自然科学基金的资助下,我们首次提出采用“电化学法”合成有机胺钽化合物及金属钽醇盐新工艺【鹿ひ找砸苯鸺督鹗纛惆为阳极,在含少量季铵盐的有机胺或醇溶液中电化学合成粗有机胺钽化合物或金属钽醇盐。之后,再加入适量的碱土金属脱除季铵盐中的阴离子并置换出电位较高的杂质金属元素;,并对“牺牲”阳极电化学合成念阊艏芙饣斫邢晗阜治觯揭示钽阳极在有机胺体系下的电溶特征,,,广西南丹摘要:以金属钽板为阳极,不锈钢板为阴极,以四丁基溴化铵为导电剂,在二乙胺体系中直接电化学合成一胺钽。采用红外光谱⒑舜殴舱、【篯方辛朔治黾觳狻7治鼋峁砻鞯玫降牟啡肥凳谴慷%的有机胺钽化合物:】n阊艏芙饣硌芯勘砻鳎阊艏诘缌鞯淖饔孟路⑸愀矗阊艏诘缌骷八亩′寤的作用下首先生成。。,之后。卅不断被传输到阴极后继续与二乙胺反应,逐步脱去溴离子关键词:电化学合成;一奉悖槐碚鳎坏缛芑中图法分类号:文献标识码:基金项目:国家自然科学基金作者简介:杨建广,男,年生,博士,副教授,中南大学冶金科学与工程学院,湖南长沙,电话:珽—.第卷焦第期月.。,并最终生成有机胺钽盐文章编号: