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东华大学学位论文原创性声明,‘本人郑重声明:我恪守学术道德,崇尚严谨学风。所呈交的学位论文,是本人在导师的指导下,独立进行研究工作所取得的成果。除文中已明确注明和引用的内容外,本论文不包含任何其他个人或集体已经发表或撰写过的作品及成果的内容。论文为本人亲自撰写,我对所写的内容负责,并完全意识到本声明的法律结果由本人承担。学位论文作签字日期:感射频等离子体化学气相沉积制备硅基发光薄膜的过程和性能研究—盂
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签字日期:—怠!_偾┳秩掌冢豪肌评级﨤二垒出学位敝作者躲聋宝必师躲三缉东华大学学位论文版权使用授权书保密口,在——年解密后适用本授权书学位论文作者完全了解学校有关保留、使用学位论文的规定,同意学校保留并向国家有关部门或机构送交论文的复印件和电子版,允许论文被查阅或者借阅。本人授权东华大学可以将本学位论文的全部或者部分内容编入有关数据库进行检索,可以采用影音、缩印或者扫描等复制手段保存和汇编本学位论文。本学位论文属于不保射频等离子体化学气相沉积制各硅基发光薄膜的过程和性能研究
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射频等离子体化学气相沉积制备硅基发光薄膜的过程和性能研究保∧び岬左右的团簇组成,摘要本文主要介绍了通过射频等离子体增强化学气相沉积法,利用和心作为反应气体,在不同的射频功率条件下进行气相沉积反应,制备出具有良好多晶结构的硅基发光薄膜。并对薄膜的微观形貌、晶态结构、化学成分和光致发光性能进行了表征。通过对反应等离子体发射光谱的诊断,研究射频功率变化对于等离子体成分和各成分相对含量的影响,进而研究壤胱犹逑嗷Х从Α⒌离子体与固相材料的相互作用和等离子体成分、相对含量对于薄膜形貌、结构、结晶性质、化学成分和光致发光性质的影响。我们自行设计了单管式和套管式两种反应器,利用其构造特点产生等离子体炬进行沉积,具有等离子体产生的区域大小和位置可以调节、薄膜制备方便的特点。其中,套管式反应器结构略微复杂,放电强度高,但是管内气流分布不均匀的缺点还有待改进;单管式反应器结构简单,放电区域便于调节,并且气流分布均匀,是薄膜沉积实验中最终采用的反应器类型。硅基薄膜的物理化学结构进行了表征。通过馐裕⑾稚淦倒β什问对于薄膜形貌有很大影响,当射频功率组成团簇的小颗粒尺寸约为笥遥硐殖鏊缮⒌男蚊病K孀殴β侍岣撸颗粒发生融合,团簇也发生了辐射状的取向生长,薄膜变得致密。通过析,薄膜在功率背氏殖鯢结构的多晶态,并根据公式测算了晶粒粒径。利用馐远员∧さ木徒辛搜橹ぃ隭结果完全一致,而且晶粒的实际尺寸也与计算值基本吻合。通过测试,发现随着功率的提高,,∧さ慕峋АF湓蚴枪β试黾射频等离子体化学气相沉积制备硅基发光薄膜的过程和性能研究
借助发射光谱诊断,对于反应等离子体的成分及其相对含量进行了测定。发功率出现陡增,推测其可能的原因是与的跃迁能级较高有关。结合有利于牧呀猓腍对于薄膜的硅结构的还原和重整作用加强。薄膜的性能表征,我们进行了光致发光谱的测试。利用波长的光源作为激发光,得到了在礁龉庵路⒐夥澹ǔ的发光峰源于硅晶粒与基质之间的界面结构缺陷,。这两个发光峰的强度均随着射频功率的提高而下降,原因是薄膜自身杂质肯陆担约氨∧そ峁贡涞弥旅芎蟛宜氧化,导致发光中心减少。现虷钠紫咔慷染婀β侍岣叨銮浚馑得鱏牧呀獬潭忍岣摺其中的强度逐渐趋于饱和,这可能与反应气体总量一定有关;的强度却在结果中,蚐甇键的变化规律,,同时也符合了蚗的结果。关键词:射频等离子体化学气相沉积,硅基发光薄膜,光致发光射频等离子体化学气相沉积制备硅基发光薄膜的过程和性能研究
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