文档介绍：MOS门电路2 2 逻辑门电路逻辑门电路教学基本要求1、了解半导体器件的开关特性,掌握基本逻辑门(与、或、与非、或非、异或门)的逻辑功能。3、掌握TTL和MOS逻辑门电路的功能、特性参数和使用方法;4、掌握OC门和三态门的电路结构特点,并能够进行应用;5、掌握逻辑门的主要参数及在应用中的接口问题。1 逻辑门电路:2 逻辑门电路的分类:二极管门电路三极管门电路TTL门电路MOS门电路PMOS 门CMOS 门逻辑门电路分立集成NMOS 门-构成数字逻辑电路的基本元件概概述述(1)加正向电压VF时,二极管导通,管压降VD可忽略。二极管相当于一个闭合的开关。1、二极管的静态特性(回忆)DVFIF(a)LRFKVFLRI(b) 基本逻辑门电路基本逻辑门电路静态特性及开关等效电路正向导通时UD(ON)≈(硅)(锗)RD≈几Ω~几十Ω相当于开关闭合二极管的伏安特性曲线(2)加反向电压VR时,二极管截止,反向电流IS可忽略。二极管相当于一个断开的开关。DVRISLR(a)KLRVR(b)反向截止时反向饱和电流极小反向电阻很大(约几百kΩ)相当于开关断开二极管的伏安特性曲线可见,二极管在电路中表现为一个受外加电压vi控制的开关。当外加电压vi为一脉冲信号时,二极管将随着脉冲电压的变化在“开”态与“关”态之间转换。动态特性定义:二极管作为开关使用时,由开通→关断由关断→开通之间的转换特性。当脉冲信号的频率很高时,开关状态的变化速度很快,每秒可达百万次,这就要求器件的开关转换速度要在微秒甚至纳秒内完成。2、二极管的动态特性RLvii+-D二极管从正向导通到反向截止的过程?:通常将二极管从导通转为截止所需的时间称为反向恢复时间: tre= ts+ttvitVF-VRIF-?在t1 时,突然?I=-VR时,电路中电流i = ?P区N区势垒区+-P区的电子浓度分布N区的空穴浓度分布二极管从正向导通到反向截止的过程3、产生反向恢复过程的原因?正向(饱和)电流愈大,电荷的浓度分布梯度愈大,存储的电荷愈多,电荷消散所需的时间也愈长。0~t1期间,PN结承受正向电压,有利于多子的扩散。使得耗尽层变窄,形成电流。同时在P区和N区形成了一定的电荷存储。