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—.岛辖鹞⒒⊙趸闵せ萍澳褪葱匝芯王萍唬醯佬,李建平忠来实验峁敕治稀有金属材料与工程微弧氧化技术是近年来备受关注的一种表面处理技术。在镁合金的应用技术与开发研究受到发达国家和政府部门高度重视的时候,将微弧氧化技术应用于镁合金的表面处理,以增强其耐蚀、耐磨性能,正引起人们的广泛关注【俊D壳埃谟泄孛竞辖鹞⒒⊙化技术的研究主要集中在陶瓷层的组织结构分析、溶液体系和电参数对陶瓷层性能的影响等方面,而对微弧氧化过程中陶瓷层的形成和生长机制的探讨较少【俊O视械谋ǖ酪仓皇枪赜诖撑坪琶竞辖鹞⒒⊙化生长过程及相结构的研究,而对稀土镁合金生长机制的研究几乎是一片空白6訫镁合金的生长过程及微观结构研究指出微弧氧化过程经历了錾长阶段【煌そ锥文げ闵し绞郊跋嘟峁褂兴不同,但并未对稚そ锥文げ愕呐3す媛勺鼋步探讨,而且关于每个生长阶段中膜层性能如耐蚀性变化规律并未做进一步研究。因此,有必要研究镁合金特别是稀土镁合金微弧氧化过程中陶瓷层的初期形成及其中后期的生长机制,探讨不同生长阶段膜层耐蚀性变化规律,为得到均匀致密的陶瓷层及该技术在镁合金防腐处理的应用上提供实验依据】。实验所用镁合金具体成分为柿糠质峦。%..J匝叽缥。微弧氧化处理采用长安大学研制的交流微弧氧化装置。电解液为去离子水配制的硅酸盐体系溶液,温度为妫琾滴2捎煤懔微弧氧化方式,微弧氧化时间为通电采用质轿辛鞑夂褚遣饬刻沾刹愕暮穸龋观察和分析陶瓷层的形貌及相组成:耐蚀性采用天津兰立科公司的缁Чぷ髡静馐裕采用标准的三电极体系,样品为工作电极,暴露面积8ㄖ缂ǎ珹疉缂2伪鹊缂ā监测不同生长阶段下微弧氧化陶瓷层在%溶液中的自腐蚀电位。..岛辖鹞⒒⊙趸沾刹闵す媛图N⒒⊙趸げ愕纳す媛赏肌4油贾锌梢看出,膜层厚度随氧化时间的延长呈增长趋势。在微弧氧化初期膜层生长较快,,得知在微弧氧化初期膜层的生长受电化学极化控制,即受界面反应褚籑俾士制,而界面反应速率为恒定值,所以在阳极沉积阶段,膜层生长遵循直线规律,其数学表达式为..,,陕西西安摘要:利用扫描电镜射线衍射确治鍪侄危芯縈合金微弧氧化陶瓷层的生长规律,分析微弧氧化膜层相结构及不同生长阶段的耐蚀性。结果表明,在微弧氧化初期,膜层生长遵循育线规律,为典型的电化学极化控制的阳极沉积阶段;随处理时间的延长及膜层增厚,膜层生长符合抛物线规律,属微弧氧化阶段,较氧化初期相比,生长速率慢:在弧光放电阶段,抛物线斜率增大,疏松层增厚,生长速率有所提高。微弧氧化疏松层主要以为主,致密层以V鳎晃⒒⊙趸鹘锥危げ隳褪葱运嫜趸奔湓龀ざ岣撸交」夥诺中图法分类号:文献标识码:为畉第卷矩第阶段,耐蚀性有所降低。在保げ憔哂薪虾玫哪褪葱浴关键词:..岛辖穑晃⒒⊙趸簧せ疲荒褪葱文章编号:..—×。收稿日期:作者简介:王萍,女,年生,博士生,西北工业大学航空学院,陕西西安,电话:珽甆
万方数据
,氧化物在最初是沿着基体金属的晶格开始物生长才会脱离基体金属品格生长方式,按照自身的品格类型生长。最初形成的沿着基体金属晶格方式牛长的氧化物称为假晶态氧化物,形成假晶态氧化物的随着氧化时间的延长,膜层生长速率变慢,不再符合直线