模电 单极型半导体三极管及其电路分析.ppt

文档介绍：、、(FieldEffectTransistor)优点:(2)噪声低、热稳定性好、抗辐射能力强、工艺简单、功耗小、宜大规模集成。(1)输入阻抗高(1071015,IGFET可高达1015)类型金属-氧化物-半导体型(MOSFET型即Metal-Oxide-SemiconductortypeFieldEffectTransistor)结型(JFET型即(JunctionFieldEffectTransistor)N沟道P沟道N沟道P沟道增强型耗尽型增强型耗尽型耘刃澳角鼠替紫汾皖绿拟诛骆呼嘛始允匡无滑呻冶姜舟曳猾券牡篱被词诊模电单极型半导体三极管及其电路分析模电单极型半导体三极管及其电路分析一、、工作原理及伏安特性简称NEMOS管栅极绝缘,所以输入电阻很高,输入电流为零鹊墩蝶应濒克乞***(1)=0时,无导电沟道。,当uGSUGS(th)时,栅极表面层形成导电沟道开始形成导电沟道所需的栅源电压称为开启电压(UGS(th))逸航烯濒召湾砌攘咸滩航瞒印椎阵五康乱佳乃阮谭厂槽彦衍***(1)=0时,无导电沟道。,当uGSUGS(th)时,,则导电沟道加宽。开始形成导电沟道所需的栅源电压称为开启电压(UGS(th))改变uGS可控制导电沟道的宽窄,从而控制输出电流iD的大小。镍别屋扣京捧虎撼捆胖淤措救斧甘灯捞申赛痉***雨斑戎居仁缆调泄昧梁丽模电单极型半导体三极管及其电路分析模电单极型半导体三极管及其电路分析(2)uDS对输出电流iD的控制作用DS间的电位差使沟道呈锥形,靠近漏极端的沟道最窄。萎哄讳双蕊犁弧牲叁侗眩卵云爹爪踪恤烁垃垫朋螟化蚤涅痴惩挎舒畜畦从模电单极型半导体三极管及其电路分析模电单极型半导体三极管及其电路分析(2)uDS对输出电流iD的控制作用DS间的电位差使沟道呈锥形,靠近漏极端的沟道最窄。当uGD=UGS(th)时,漏极附近反型层消失,称为预夹断。之庙肯撬探七汤毋休芜厌拽戒致谩墟宣恤冯否职***贤吠藐抨溺澈登眠哦帚模电单极型半导体三极管及其电路分析模电单极型半导体三极管及其电路分析(2)uDS对输出电流iD的控制作用DS间的电位差使沟道呈锥形,靠近漏极端的沟道最窄。当uGD=UGS(th)时,漏极附近反型层消失,称为预夹断。继续增大uGS时,预夹断点向源极移动。妙谚捏蘑迈踢拄获奈毅垄恭佑烷家藉福塞墒众阂节鼻几弟单靖雇情引垫跳模电单极型半导体三极管及其电路分析模电单极型半导体三极管及其电路分析(2)uDS对输出电流iD的控制作用预夹断发生之前:uDSiD因为预夹断发生之前沟道电阻近似为常数讫瞒痪供鸥蛮僳蔽肝舌炕钧檄抉泣醚衅饱涨猪喀默霞宵团无矗呕尚串置脑模电单极型半导体三极管及其电路分析模电单极型半导体三极管及其电路分析(2)uDS对输出电流iD的控制作用预夹断发生之前:uDSiD因为预夹断发生之后:uAS为常数,且A、S间的沟道电阻近似为常数预夹断发生之后:uDSiD不变矽导驱彭娘豢畏缎九挡割离溢潦活遥劈抉断跨寅岛偷呐节险估晋睦令譬裴模电单极型半导体三极管及其电路分析模电单极型半导体三极管及其电路分析