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Bi2S3娟,韩巧凤,杨绪杰’,陆路德,汪言1鲁信引291月光谱学与光谱分析18012hBi2S湎叻勰┭苌浣峁砻鞑锒杂τ谡痪嗟腂,晶胞参数为nlTl(a=1114基本一致;通100叻直嫱干涞缇嫡掌允揪逖豗轴优先生长;:肽勘瓴顱的计量比一致;测试显Bi2S195cln-1Bi2S(236crfl-1)41Bi2S3450nlnEg158eV(BizSEg13eV)关键词纳米带;带隙;谱学特性04331AOOl103964jissn1000-0593(2009}01004804纳米材料具有特殊的结构和性能,可广泛应用于化学、物理学、电子学、光学、机械和生物医药学等领域。。其中一维或准一维纳米结构体系的研究既是研究其他低维材料的基础,又与纳米电子器件及微型传感器密切相关,是近年来国内外研究的前沿睁。s3B随着结构的纳米化,不仅能引起吸收波长与荧光发射发生蓝移,还能产生非线性光学响应,可以用作发光二极[15]BizS3[16[17]BiChS粉为原料,水热反应hBizS180下与硫代乙酰胺反应hBizS缩短了反应时间,此方法未见文献报道。另外,对产物进行了瑇碚鳎⒀芯苛似銻和光谱的吸收情况。试剂与仪器(C6HNQ)()水!上海化学试剂有限公司跛犷·国药集团化学试剂有限公司嗡()(CzHsNS)()(CHCH20H)()湎叻勰┭苌湟珺荆珻校珹/琀一屯干涞缱酉晕⒕日)1100()(Renishawinvia)X(Perkin-PHl5300Mg样品的制备称取g20去离子水中,滴加氨水至完全溶解;称取g10水中,滴加盐酸至完全溶解;两者混合,溶液由澄清变浑浊。另外将g20水中,磁力搅拌下,缓慢滴加上诉浑浊溶液中。最后倒入mL180h晾干。January2009南京理工大学材料化学实验室,江苏南京琤一,nnlb=1130nlTlc----0398—11m40eV)收稿日期:P薅┤掌冢基金项目:国家自然科学基金项目资助作者简介:鲁娟,女,年生,南京理工大学材料化学实验室博士研究生:.*e-mailjizmriddle@琋,—~,。015
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26b=1099帆,暑RBiS195BiS3(236)41蓦蠡§1光谱学与光谱分析XRD图狟擅状腦图。从图可以看出,产物结晶度很好。所有衍射峰均能被归属为正交相:17320)a1110nnl[18](a1114基本一致。TEM图和狟S3TEM100rim2(c)片,晶面间距约为Din[17]2(d)XRD(o,说Y;叩强峰,对应为跃迁。而eVS(2s)BiS:隑中元素计量比基本一致。由于产物表面存在,致使图中有少量的蚈的杂峰。RamanRainan4墨XPS3X(a)4(a)(b)Bis3Bi2S(b)Bi(c)S表明产物纯度较高。图中和处出现的两个绷琤一琧一2el()’bollS(c)HRTEM邑堂量曼蛊oIso_沥/(a)Surveyscan(b)Bi;篠1shifteral築:(_o)I屿鹭2目cIIl-
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3100XRDTEM咖,体现了纳米的表面效应。Biz:耋%¨∞眈枚瓵。孓§光谱学与光谱分析第卷分析谱吸收峰位置的变化可以反映出纳米材料的能级结构变化‘圳。:属于直接跃迁的半导体材料,根据文献直接跃迁的半导体的吸收带隙与吸收系数满足下述关系旃幻一式中