模拟电子技术第3章 场效应管及其放大电路.ppt

文档介绍：第3章场效应管及其放大电路
场效应管

场效应管放大电路

场效应管
场效应管也称单极型晶体管∶具有噪声小、抗辐射能力强、输入阻抗高等优点。
场效应管有三个极:源极(s)、栅极(g)、漏极(d),对应于晶体管的e、b、c;
有三个工作区域:截止区、恒流区、可变电阻区,对应于晶体管的截止区、放大区、饱和区。
符号
结构示意图
栅极
漏极
源极
导电沟道
结型场效应管
P
沟道结型场效应管
N
沟道结型场效应管
(1) 对导电沟道宽度及漏极电流的控制作用
沟道最宽
沟道变窄
沟道消失称为夹断
UGS(off)
1. 工作原理
夹断电压常用或表示。
(2) 对导电沟道宽度及漏极电流的影响
设为固定值,且。
vGD>VP
vGS>VP且不变,VDD增大,iD增大。
vGD=VP
预夹断
vGD=VP
预夹断
vGD<VP
VDD的增大,几乎全部用来克服沟道的电阻,iD几乎不变,进入恒流区,iD几乎仅仅决定于vGS。
2. 结型场效应管的特性曲线及电流方程
(1)输出特性
g-s电压
控制d-s的
等效电阻
预夹断轨迹,vGD=VP
可变电阻区
恒
流
区
iD几乎仅决定于vGS
击
穿
区
夹断区(截止区)
夹断电压
IDSS
ΔiD
不同型号的管子VP、IDSS将不同。
低频跨导:
(2)转移特性
场效应管工作在恒流区,因而vGS>VP且vGD<VP。
夹断电压
漏极饱和电流
绝缘栅场效应管
绝缘栅型场效应管的栅极与源极、栅极与漏极之间均采用SiO2绝缘层隔离,因此而得名。
又因为绝缘栅型场效应管中各电极为金属铝,绝缘层为氧化物,导电沟道为半导体,故又称为金属—氧化物—半导体场效应管,简称为MOS管—Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)。