文档介绍：国内外发展情况国外发展情况韩国Chonbuk国立大学的Young-SoonKim[l]等对在聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)衬底上用射频反应磁控溅射室温制备的ITO薄膜的生长进行了系统的研究。实验采用ln/Sn=9/l的合金靶,-1^-1Pa,射频功率为30^50W,薄膜生长时间为15^50mino实验结果表明随着溅射气体Ar中氧分压的增加薄膜的生长速率降低,最低的电阻率为(7X10-3Q-cm),可见光范围内的透射率为80%,载流子浓度为1019cm-3,载流子迁移率为37cm2/V•s;溅射气压对薄膜生长速率影响不大,颗粒尺寸长大的同时没冇引起分布改变;增加溅射压强后薄膜的透射率超过80%;当射频功率为50W时,电阻率最小,-3□•cmo因而当氧分压为10%,,射频功率为50W时可以在PET衬底上制备较好的IT0透明导电薄膜。爱尔兰DublinCity大学K/⑵在石英衬底用溶胶凝胶法(Sol-Gel)沉积了IT0薄膜。先驱液是由溶解在乙酰***的***化锢溶液和溶解在乙醇屮的***化锡组成。薄膜屮的锡的质量分数从0变化到20%,并在400°C以上的温度下进行退火处理。锡的质量分数为10%的IT0薄膜在空气中600°C退火处理后电阻率最低,-3Q•cm。薄膜在400nm到900nm波长范围内的光学透过率达到93%,吸收带大约在300nmoXRD分析表明沉积的IT0薄膜为多晶的ln2O3立方铁镒矿结构并且无择优取向,XRD衍射图中没有Sn的氧化物(SnO,SnO2)的衍射峰出现,这表明薄膜中的Sn是融入到ln2O3的晶体结构当中。XPS分析表明In和Sn是以化合态的形式存在丁薄膜当屮。用Sol-Gel法制备的ITO薄膜与其他方法制备的薄膜的光电性能相当,并且由于英低成本因而在大型平板显示器方面的应用具有很大的潜力。⑶用直流反应磁控溅射制备了ITO薄膜。实验屮通过改变溅射气体的组分來改变ITO薄膜中氧的含量,而其它的参数不变。实验测得,室温下沉积并在真空200°C温度下退火处理的IT0薄膜面方阻为23Q,最大透射率为89%,电阻率为216卩Q•cm。运用Drude理论计算了ITO薄膜自由载流子的等离子频率(18374-13601crr-1)和碰撞频率(1163^785cm-1),二者都随着薄膜沉积过程屮氧气流量增加而减小。-,并且也随着氧气流量增加而减小。对所有的薄膜样品用性能指数?TC表示其光电性能的优劣,实验发现薄膜沉积过程中溅射气体中O2/%吋,薄膜的性能指数?TC=-lo美国SKION公司DaeilKim和SungjinKim⑷用负金属离子源(SNMIS)直流磁控溅射工艺和传统溅射工艺在室温下淀积了ITO透明导电薄膜。实验釆用聚碳酸酯基片,膜厚控制为12-150nmo电学测试表明:随着膜厚的增加,ITO薄膜的电阻降低。-4Q-cm,-3Q-cm。随膜厚的增加,由SNMIS制备的薄膜在可见光范围内的光学透射率从96%下降到84%,比传统直流溅射工艺制备的薄膜冇更高的透射率