文档介绍：Si集成电路工艺基础本课程主要讲述硅集成电路制造的各单项工艺,介绍各项工艺的物理基础和基本原理,主要内容包括硅的晶体结构、氧化、扩散、离子注入、物理气相沉积、化学气相沉积、外延、光刻与刻蚀、金属化与多层互连,最后简要介绍集成电路的工艺集成。本课程也是从事微电子相关领域(如太阳电池、半导体器件、激光器、LED和TFT等)的研究和工作的基础课程。课程的主要内容本课程学****的目的通过学****本课程,可以:了解并掌握常用的半导体工艺技术;能够简要叙述集成电路每一个工艺过程;了解基本的集成电路制备过程;能够从事半导体工艺相关的工作。教材与参考书教材:关旭东,硅集成电路工艺基础,北京大学出版社,2003年10月。参考书:MichaelQuirk,JulianSerda著,韩郑生等译,半导体制造技术(SemiconductorManufacturingTechnology),电子工业出版社,2004年1月(中英文版),周润德译,微电子制造科学原理与工程技术(TheScienceandEngineeringofMicroelectronicFabrication),电子工业出版社,2004年1月(中/英文版均有)张兴/黄如/刘晓彦,微电子学概论,北京大学出版社,2000年1月教学方式:课堂讲授为主,每周2学时。成绩评定:期末考试:80%,考勤+作业:20%。教学方式与成绩评定集成电路发展的简要历史集成电路产业的发展趋势集成电路的基本工艺流程前言1947年12月16日贝尔实验室的WillianShockley、JohnBardeen、WalterBrattain,以Ge为半导体材料,发明了用于替代真空管的固态晶体管,成功使用一个电接触型的“可变电阻”----即今天被称为三极管“Transistor”的器件得到放大倍数为100的放大电路。第一个晶体管,美国Bell实验室,1947年。集成电路(IC)发展的简要历史第一个晶体管的发明者:WillianShockley、JohnBardeen、WalterBrattain1950年代——晶体管技术不断发展1952年,第一个单晶Ge晶体管。1954年,第一个单晶硅晶体管,德州仪器公司,GordonTeal。1957年,加利福尼亚州的仙童半导体公司(FairChildSemiconductor)制造出第一个商用平面晶体管。——平面技术。1958年,德州仪器(TI)公司,制造出第一个集成电路(IC)器件,半导体产业向前迈进了重要的一步。第一个集成电路(IC)器件。1958年7月24日,德州仪器(TexasInstruments)的雇员JackKilby,在笔记本中写道:如果电路元件,比如电阻,电容可以使用同种材料制造,则有可能将整个电路加工在单个片子上“singlechip”。当时的真空条件很差的情况下,Kilby于当年的9月12日制造了具有5个集成元件的简单振荡电路,1959年Kilby提交了专利申请US3,138,743:"ircuits"并获得授权。2000年Kilby和其他两位物理学家一起分享了诺贝尔物理奖。