文档介绍：万方数据
2H20+2e20H+H2一叫一SiOH+HOSiSi_OSi+H2002+2H20+4e40HSi(OR)4+2H20SiOH+4HOR电沉积硅烷分子印迹膜修饰电极的制备及其应用+王桂林,王电化学酸,具有良好的抗氧化,降血压和抗癌变作用,,探索一种快速、,已有关于使用高效液相色谱、化学发光等方法检测一的相关报道¨,电化学方法具有设备简单,-DHBA24(24DHBA),、多孔,膜内物质扩散速率相对较强,且制备方法简单,形成的膜具有物理刚性、化学以及热的稳定性等优点,在电分析,电催化,传感器以及色谱分离等诸多领域显示广泛的应用前目前,在电极表面制备硅溶胶一凝胶膜较多采用滴涂和旋涂法,应用该法制备分子印迹膜操作快速简单,但也存在膜厚度不易控制、难以避免由表Collinson(TMOS)(Electro-microbalanceEQCM),并指出沉积过程它种微粒的嵌入对膜性质的影响,其结论对电沉积硅胶制备分子印迹当向电极表面施加较负的电位时,可沉积硅烷解,水解硅烷缩合、脱醇或脱水,,制备过程中凝胶化过程和蒸发过程的分开,使硅烷有充分水解和干燥的时间,更有利于物质在膜摘要:以一二羟基苯甲酸作模板分子,在玻碳电极表面恒电位沉积四甲氧基硅烷和苯基三甲氧基硅烷,3关键词:中图分类号:A一二羟基苯甲酸,籇又称原儿茶r6-s]:(1)(2)(3)OH内的扩散,:·虾JΨ洞笱牖肪晨蒲аг夯担虾腔郊姿岬牡缇酆霞捌渫忠旃固,,该修饰电极对一二羟基苯甲酸测定的线性浓度范围为×~~×~·~.3,424收稿日期:,修订日期:Tel(86-21)64321648Emailxqwu@(20503016)(07QAl4044)V0114No2
万方数据
,一在裸电极上的电化学行为硅烷结构对印迹效应的影响备不同硅烷的硅溶胶一凝胶分子印迹膜修饰电极,仪器电沉积以及相关电化学测试使用电四甲氧基硅烷,苯基三甲氧基硅烷(PTMOS)34DHBA24DHBA电极的制备电沉积液的配制:取面,,置于上述电沉Vmin近又出现一对新的氧化还原峰,,由电沉积法制备的TMOS2TMOS合基质时制成的分子印迹电极和非印迹电极在含现一对氧化还原峰,说明此时的一可以穿过该分子印迹或非分子印迹的硅胶膜,,该修饰电极在溶液中停留一段时间后,