文档介绍：双极结型三极管(BJT)
共射极放大电路
放大电路的分析方法
放大电路静态工作点的稳定问题
共集电极电路和共基极电路
组合放大电路
放大电路的频率响应
4 双极结型三极管及放大电路基础
BJT的结构简介
双极结型三极管(BJT)
BJT的电流分配与放大原理
BJT的特性曲线
BJT的主要参数
从外形可看出,其共同特征就是具有三个电极,习惯上称为“晶体三极管”,简称晶体管或三极管。
BJT的结构简介
C
E
T
B
IB
IE
IC
E
T
C
B
IB
IE
IC
根据结构不同,BJT有两种类型:NPN型和PNP型。
发射区
发射极
Emitter
基区
基极 Base
集电区
集电极Collector
发射结(Je)
集电结(Jc)
发射区
发射极
基区
基极
集电区
集电极
发射结(Je)
集电结(Jc)
表示符号
基区:最薄,
掺杂浓度最低
发射区:面积小,
掺杂浓度最高,多
子数量多
发射结
集电结
B
E
C
N
N
P
基极
发射极
集电极
集电区:面积最大,
掺杂浓度次于发射区
而高于基区
结构特点:三层两结
BJT的电流分配与放大原理
发射结正偏、集电结反偏
从电位的角度看:NPN型
VB>VE VC>VB
PNP型
VB<VE VC<VB
发射区:发射载流子
基区:传送和控制载流子
集电区:收集载流子
三极管的放大作用是在一定的外部条件控制下,通过载流子传输体现出来的。
B
E
C
N
N
P
EB
RB
EC
RC
IB
IE
IC
共发射极
输入回路
(控制回路)
1
2
输出回路
(工作回路)
1. 内部载流子的传输过程
B
E
C
N
N
P
EB
RB
EC
IE
IBN
ICN
ICBO
基区空穴向发射区的扩散可忽略。
发射结正偏,发射区电子不断向基区扩散,形成扩散电流IEN。
进入P 区的电子少部分与基区的空穴复合,形成电流IBN ,多数扩散到集电结。
从基区扩散来的电子作为集电结的少子,漂移进入集电结而被收集,。
集电结反偏,有少子形成的反向电流ICBO。
IB
IC
双极结型晶体管或BJT
(Bipolar Junction Transistor)
IEN
B
E
C
N
N
P
EB
RB
EC
IE
IBN
ICN
ICBO
IC
IB
2. 电流分配关系
根据传输过程可知
IC= ICN+ ICBO
IB=IBN– ICBO
IE ≈ IEN =IBN+ ICN =IB+ IC
为共射极直流电流放大系数,它只与管子的结构尺寸和掺杂浓度有关,与外加电压无关。一般, 值范围:20~100
根据传输过程可知
IC= ICN+ ICBO
IB= IBN - ICBO
IE=IB+ IC
B
E
C
N
N
P
EB
RB
EC
IE
IBN
ICN
ICBO
IC
IB
IC=βIB
通常 IC >> ICBO
根据传输过程可知
IC= ICN+ ICBO
IB= IBN - ICBO
IE=IB+ IC
共基极
为共基极直流电流放大系数,它也只与管子的结构尺寸和掺杂浓度有关,与外加电压无关。一般=