文档介绍：,已知晶体管的gc=2000ms,Vb2=,Vcc=12V,谐振回路电阻RP=130Ω,集电极效率ηC=%,输出功率P~=500mW,工作于欠压状态,试求:(1),VCM,θC,IC1,ICO,ICM(2),为了提高效率ηc,、RP、Po不变的条件下,将通角θC减小到600,计算对于θC=600的IC1,ICM,ηc(3),采用什么样的措施能达到将θC变为600的目的?答案:①VCM=②θC=900③IC1=④ICM=⑤ICO=55.、RP、Po不变,θC=600IC1=;ICM=;ICO= (3)应改变晶体管直流偏压题解:(1) 查表θC=900∴α0(θ)=(θCθ)=(2)、RP、Po不变的条件下 改变导通角θ,应改变晶体管直流偏压即在Vbm=,Vbb=,导通角900由Vbm(600)=ICM(60°)gc(1-cos60°)Vbm=(60°)=Vb2-VbbVb=∴Vbb(600)=∴,=,VbZ=,=18V,Vbb=-,输入电压振幅Vbm=,ICM=,临界工作状态试求:(1)提供的输入功率Po(2)输出功率P~(3)集电极损耗功率PC(4)集电极效率ηC(5)输出回路的谐振电阻RP答案:(1) (2)公式见P107(3) (4) ,晶体管饱和临界线的斜率gcr=,Vb2=,=24V,Vbb=-,输入电压振幅Vbm=2V,输出回路谐振电阻RP=50Ω,输出功率Po=2W,试求(1).①ICM=?(集电极电流最大值)②VCM=?(输出电压振幅)③ηC=?(集电极效率)(2).判断放大器工作于什么状态?(3).当RP变为何值时,放大器工作于临界状态,这时输出功率P~,集电极效率ηC=?答案:(1).(2)当处于临界状态时因此处于欠压状态(3)保持不变,对吗?由可知