扩散与离子注入.pptx

文档介绍：2003年10月8日扩散与离子注入1扩散与离子注入DiffusionandIonImplantation(第二讲)扩散与离子注入22003年10月8日典型MOS工艺回顾NMOS结构扩散与离子注入32003年10月8日NMOS典型工艺热氧化薄膜沉积光刻刻蚀注入扩散互连封装扩散与离子注入42003年10月8日CMOS工艺扩散与离子注入52003年10月8日光刻技术正胶负胶扩散与离子注入62003年10月8日热氧化扩散与离子注入72003年10月8日第四章:扩散向硅中引入杂质的重要方法之一,用于控制主要载流子类型、浓度,进而控制导电率。主要介绍:扩散的基本原理、扩散层的片电阻、扩散层深度的测量,以及物理扩散系统。扩散与离子注入82003年10月8日1、扩散过程替位扩散:杂质沿着晶格运动必须有空位存在添隙扩散:杂质通过晶格位之间的间隙运动扩散速度快于替位扩散扩散过程难以控制扩散与离子注入92003年10月8日2、扩散的数学描述Fick第一定律D为扩散系数描述扩散粒子的空间分布Fick第二定律描述扩散粒子的时间分布扩散与离子注入102003年10月8日3、两种扩散方式恒定源扩散有限源扩散