文档介绍：门电路补充内容孙卫强******@:PMOS管的电阻,Rn:NMOS管的电阻电阻性负载CMOS反相器的电阻模型电阻性负载的戴维宁等效电路Rp:PMOS管的电阻,Rn:NMOS管的电阻电阻性负载CMOS器件的电阻模型 (输出为低电平)VOUT=[100/(100+667)]= (输出为高电平)VOUT=(5V-)*[667/(200+667)]+ =******@(mA)最大低态输出电压(V)最小高态输出电流(mA)最小高态输出电压(V)负载负载上两个slides中吸收和提供电流各是多少?内部功耗是多少?非理想输入时电路的特性Iwasted=5/(400+2500)=:Pwasted=5*Iwasted==5/(4000+200)功耗:Pwasted=5*Iwasted非理想输入时电路的负载特性浪费的功率等于多少?电阻性负载的戴文宁等效电路CMOS电路的动态电气特性现代电路设计正朝着纯CMOS技术的方向演进,而CMOS器件具有很高的输入阻抗,因此直流负载效应常常可以忽略不计CMOS输入端、封装和内部连线具有相当大的电容电容充放电时间是构成电路/器件时延的主要因素之一CMOS转换时间分析影响转换时间的因素晶体管的导通电阻驱动的输入端的电容寄生电容的来源输出电路,2-10pF输出和其它输入的连线电容,1pF/英寸或更多输入电路,2-15pF转换时间分析的等效电路