文档介绍：南开大学
硕士学位论文
Ⅲ-Ⅴ族半导体三元含磷化合物的MBE生长与拉曼光谱研究
姓名:罗青青
申请学位级别:硕士
专业:光学
指导教师:邢晓东
20090401
摘要生长温度为妫琁疓鞅任.:琕皿束流比为。研究方向,文献调研和探讨了含磷化合物半导体器件的研究进展与应用:通过街质笛椴牧咸逑稻哂胁煌睦┩干疃取6訧疘完全匹配材料募し⒐舛蓟岽┩负穸仍~涞难吠庋硬愦锏匠牡住本文以“Ⅲ.灏氲继迦:谆衔锏腗生长与拉曼光谱研究”为研究工艺参数等对疌癐疘异质外延的晶格匹配生长及表面形貌变化的影响,实现了材料的呕ぃ焕美馄准际酰訧/及/牧系拇┩干疃取⒛谟α陀行蚨鹊冉辛松钊胙芯俊V饕3晒和创新点如下:捎肕技术制备出Ⅲ.搴兹;衔锇氲继逋庋硬牧希治龊吞致了生长温度、/比、蟊鹊炔问圆牧鲜涠群捅砻嫘蚊驳认嗷ビ跋的关系。得到疓呕纳ぬ跫#荷の露任℃,/束流比为,笫鞅任:疘外延层的优化生长条件为:体系榉衷嘉,波长为激发光对外延层的穿透深度分别为和薹ù┩负穸仍涞氖笛檠吠延层。对于疓耆ヅ洳牧咸逑组分约%ǔ和ü訧/和/牧系睦馄籽芯浚⑾质溆α岬致峰位产生钠狄屏俊K孀臝榉值脑黾樱鞴木灾迪燃跣『笤龃螅筛褐当湮U担诰Ц褡罱咏ヅ涞那榭鱿翧的绝对值最小。拉曼光谱中横光学峰的出现和增强表明外延层材料有序化程度的增加,对于疓牧咸逑邓孀臯/Ⅲ束流比的增加,其有序度先增大后减小;随着生长温度的增加,痑值近似线性递减,类模的峰位发生蓝移,表明有序度增强。关键词:/馄疓
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莆棚扩∥南开大学学位论文原创性声明4\本人郑重声明:所呈交的学位论文,是本人在导师指导下,进行研究工作所取得的成果。除文中已经注明引用的内容外,本学位论文的研究成果不包含任何他人创作的、已公开发表或者没有公开发表的作品的内容。对本论文所涉及的研究工作做出贡献的其他个人和集体,均已在文中以明确方式标明。本学位论文原创性声明的法律责任由本人承担。学位论文作者签名:年寻月二么
第一章含磷化合物半导体器件的研究进展第一节前言半导体器件的发展,就谈不上信息的高速传输,也就是说不可能有现代信息技等人【康谝桓鍪迪至薓生长含磷化合物半导体材料,从此,出现了许多关于和嗑Р牧稀緇孔魑A自瓷外延材料也有报道,但存在着从源材料带入在社会高度信息化的新世纪,人们都可以高速交换信息,使区域性很强的政治、经济、文化国际化。但是,如果没有以晶体管为基础的半导体技术的发展就谈不上个人计算机的高性能和多功能,没有以激光器和光探测器为主体的术。分子束外延琈际醢驯∧げ牧系暮穸却游米量级推进到亚微米级以至单原子层尺度,使人们能够采用能带裁剪工程设计材料与器件结构。捎谠诓牧匣ё榉趾蜕に俾士刂频确矫娴挠攀疲常适合于各种化合物半导体及其合金材料的同质结和异质结外延生长。在Ⅲ.寤衔锇氲继逡熘释庋硬牧嫌肫骷纳杓浦校匦攵跃Ц癯J禁带宽度等参数进行选择和优化。三元、四元合金材料为材料与器件的设计提供了很大的灵活性和选择性。在半导体材料的大家族里,以虲基为代表的含磷化合物半导体材料在其中占有重要地位,主要得益于含磷化合物半导体材料具有很多优越的特性。比如含磷化合物半导体材料自身具有抗氧化、便于应力补偿设计和可制作长波长器件,使其在激光器【俊⑻讲馄鳌】、高速器件【亢吞裟艿绯亍】等方面发挥着重要作用。目前,金属有机化合物化学气相沉积⑵捶肿邮【亢突庋【渴峭庋由含磷材料的主要手段,但由于金属有机化合物和氢化物等有毒、易燃易爆源料所带来的安全、费用和环保等问题,其发展将最终受到限制。年,卓以和固态源红磷的蒸发生长高质量的庋硬牧系难芯勘ǖ溃煌保赜谑褂肎【杂质增加污染的可能,该方法的材料生长研究逐渐减少。