文档介绍：电子科技大学学院(微电子技术系)实验报告书课程名称:芯片解剖实验学号:姓名:教师: 年6月28日实验一去塑胶芯片的封装实验时间:同组人员:一、,集成电路封装类型。。。二、实验仪器设备1:烧杯,镊子,电炉。2:发烟硝酸,弄硫酸,芯片。3:超纯水等其他设备。三、实验原理和容实验原理:1..传统封装:塑料封装、瓷封装(1)塑料封装(环氧树脂聚合物)双列直插DIP、单列直插SIP、双列表面安装式封装SOP、、小外形J引线塑料封装SOJ(2)瓷封装具有气密性好,(三氧化二铝和适当玻璃浆料):针栅阵列PGA、:2..集成电路工艺(1)标准双极性工艺(2)CMOS工艺(3)。,沸煮。(1)发烟硝酸煮(小火)20~30分钟(2)浓硫酸沸煮30~50分钟实验容:去塑胶芯片的封装四、,打开抽风柜。(去掉引脚)放入有柄石英烧杯中。,在药品台上去浓硝酸。向石英烧杯中注入适量浓硝酸。(操作时一定注意安全),记录加热时间。(注意:火不要太大),并做好记录。,在显微镜下观察腐蚀效果。,对废液进行处理。五、实验数据1:开始放入芯片,煮大约2分钟,发烟硝酸即与塑胶封转起反应,此时溶液颜色开始变黑。2:继续煮芯片,发现塑胶封装开始大量溶解,溶液颜色变浑浊。3:大约二十五分钟,芯片塑胶部分已经基本去除。4:取下烧杯,看到闪亮的芯片伴有反光,此时芯片塑胶已经基本去除。六、结果及分析1:加热芯片前要事先用钳子把芯片的金属引脚去除,因为此时如果不去除,它会与酸反应,消耗酸液。2:在芯片去塑胶封装的时候,加热一定要小火加热,因为发烟盐酸是易挥发物质,如果采用大火加热,其中的酸累物质变会分解挥发,引起容易浓度变低,进而可能照成芯片去封装不完全,或者去封装速度较慢的情况。3:通过实验,了解了去塑胶封装的基本方法,和去封装的一般步骤。实验二金属层芯片拍照实验时间:同组人员:一、。。、实验仪器设备1:去封装后的芯片2:芯片图像采集电子显微镜和电动平台3:实验用PC,和图像采集软件。三、实验原理和容1:实验原理根据芯片工艺尺寸,选择适当的放大倍数,D摄像头的显微镜对芯片进行拍照。以行列式对芯片进行图像采集。注意调平芯片,注意拍照时的清晰度。2:实验容采集去封装后金属层照片。四、、显微镜、电动平台。(即载物台最低),小心取下载物台四英寸硅片平方在桌上,用塑料镊子小心翼翼的将裸片放到硅片靠中心的位置上,将硅片放到载物台。。,建立新拍照任务,选择适当倍数,并调整到显示图像。(此处选择20倍物镜,即拍200倍照片),慢慢载物台粗调整旋钮使载物台慢慢上升,直到有模糊图像,这时需要小心调整载物台位置,直至看到图像最清晰。,将芯片调平(方法认真听取指导老师讲解)。,观察是否有严重错位现象。如果有严重错位,要进行重拍。,关闭拍照工程。(即:5X)。,使载物台下降到最低。,到居中位置。、电动平台和PC机。五、实验数据采集后的芯片金属层图片如下:六、结果及分析1:实验掌握了芯片金属层拍照的方法,电动平台和电子显微镜的使用,熟悉了图像采集软件的使用方法。2:在拍摄金属层图像时,每拍完一行照片要进行检查,因为芯片有余曝光和聚焦的差异,可能会使某些照片不清晰,对后面的金属层拼接照成困难。所以拍完一行后要对其进行检查,对不符合标准的照片进行重新拍照。3:拍照是要保证芯片全部在采集视野里,根据四点确定一个四边形平面,要确定芯片的四个角在采集视野里,就可以保证整个芯片都在采集视野里。4:拍照时的倍数选择要与工程分辨率保持一致,过大或过小会引起芯片在整个视野里的分辨率,不能达到合适的效果,所以采用相同的倍数,保证芯片的在视野图像大小合适。实验三金属层图像拼接实验时间:同组人员:一、,学习同层图像拼接。、实验仪器设备1:采集到得金属层图片。2:实验室电脑和图像拼接软件FilmIntegrator。三、实验原理和容1:实验原理根据采集芯片的图