文档介绍：Rev. for class ?离子导电机制: 电导率与温度关系; 能斯特-爱因斯坦方程式; ?快离子导体半导体本征半导体、杂质半导体迁移率、载流子浓度、费米能级随温度变化规律等相关的电子器件本征半导体纯的半导体称为本征半导体, 仅由其固有的性质决定。由于外部作用而改变半导体固有性质的半导体称为非本征( 杂质) 半导体。 Si 本征半导体 Si 特点:金刚石结构、每个原子的四个价电子都参与形成共价键、四共价键对称排列。热激发或光子激发可使电子跃迁到导带上,产生电流。 0K 时电子均处于价带,禁带宽度。不同材料的禁带宽度(1) 求出半导体中载流子的状态密度 Z(E) (2) 求出半导体中 E 到 E+ dE 区间载流子数目求出能量 dE 区间的量子态数; 求出 dE 区间被电子占据的量子态数; (3) 对导带积分半导体中载流子数量的计算 2 222 () 2 ex y z e Ekkk m ?=++ h 2 222 () 2 hxyz h E kkk m ?=++ h [ ] 半导体中载流子运动行为半导体中电子能量 E e 或空穴能量 E h 可用金属中自由电子能量表达,只是自由电子质量应该用有效质量替代 2 2 2 Ek m = h 半导体中载流子的运动行为( 续) ?导带里的电子有不同质量,但其形为和自由电子一样。?自由电子近似导出的状态密度对半导体有效。?由于空穴除了带正电荷外,其它与电子类似, 导带里电子的形为,对于价带中的空穴也应存在,只不过空穴的状态密度与能量的关系正好与电子情形相反。半导体中载