文档介绍：【August】【2007年03月】【NANDflash组成结构及驱动解读】Author:August0703最近忙着面试,刚去过几家不错的公司,开始还是很有自信的,但是到后来都是被问得落荒而逃,许多学过的东西真的是不深,如果他们给我机会,我想我会拒绝,我要塌下心来往深里钻,下面就面试时被问到的一个问题作深入研究。Fisrtpart:NANDflash和NORflash的不同NORflash采用位读写,因为它具有sram的接口,有足够的引脚来寻址,可以很容易的存取其内部的每一个字节。NANDflash使用复杂的I/O口来穿行地存取数据。8个引脚用来传送控制、地址和数据信息。NAND的读和写单位为512Byte的页,擦写单位为32页的块。●NOR的读速度比NAND稍快一些。●NAND的写入速度比NOR快很多。●NAND的4ms擦除速度远比NOR的5s快。●大多数写入操作需要先进行擦除操作。●NAND的擦除单元更小,相应的擦除电路更少。在NOR器件上运行代码不需要任何的软件支持,在NAND器件上进行同样操作时,通常需要驱动程序,也就是内存技术驱动程序(MTD),NAND和NOR器件在进行写入和擦除操作时都需要MTD。---------摘抄自网上流传很广的《NAND和NORflash的区别》Secondpart:NANDFlash结构与驱动分析一、NANDflash的物理组成NANDFlash的数据是以bit的方式保存在memorycell,一般来说,一个cell中只能存储一个bit。这些cell以8个或者16个为单位,连成bitline,形成所谓的byte(x8)/word(x16),这就是NANDDevice的位宽。这些Line会再组成Page,(NANDFlash有多种结构,我使用的NANDFlash是K9F1208,下面内容针对三星的K9F1208U0M),每页528Bytes(512byte(MainArea)+16byte(SpareArea)),每32个page形成一个Block(32*528B)。具体一片flash上有多少个Block视需要所定。我所使用的三星k9f1208U0M具有4096个block,故总容量为4096*(32*528B)=66MB,校验码等额外数据的,故实际中可使用的为64MB。NANDflash以页为单位读写数据,而以块为单位擦除数据。按照这样的组织方式可以形成所谓的三类地址:ColumnAddress:,地址的低8位PageAddress:页地址BlockAddress:块地址对于NANDFlash来讲,地址和命令只能在I/O[7:0]上传递,数据宽度是8位。二、NANDFlash地址的表示512byte需要9bit来表示,对于528byte系列的NAND,这512byte被分成1sthalfPageRegister和2ndhalfPageRegister,各自的访问由地址指针命令来选择,A[7:0]就是所谓的columnaddress(列地址),在进行擦除操作时不需要它,why?因为以块为单位擦除。32个page需要5bit来表示,占用A[13:9],即该page在块内的相对地址。A8这一位地址被用来设置512byte的1sthalfpag