文档介绍：摘要在一个最佳阱数使阈值电流密度达到极小值扑惚砻鱒淖菽<渚本文围绕着垂直腔面发射激光器进行了系统而全面的研究,介绍了的发展历史、研究现状和应用前景。描述了的结构特点。比较了它与边发射激光器的不同之处。在同时考虑自发辐射效应和非辐射衰减速率的影响下,得到了载流子浓度和光子密度与结构特征参数之间的严格解析解。针对有源区量子阱结构的特点,首次从理论上推导了增益系数随注入载流子浓度呈对数变化的关系。从匠套槿胧郑考虑到微腔效应,建立了适用于的速率方程。在此基础上,导出了阈值电流密度、最佳阱数、纵模频率、纵模间距、横模频率、横模间距、纵模功率、延迟时间、弛豫振荡频率及调制响应与结构特征参数之间的关系。研究了降低激射阈值的三个基本途径:选用量子阱有源层实现微腔结构、采取多层介质反射膜作腔面以提高光腔反射率⒏慕庋生长层的微观质量和宏观平整度以降低各种损耗。预言了对确定的偏置,存为普通半导体激光器的几十倍,边模抑制比比普通激光器提高了二至三个量级。纵模分布受到器件结构、温度、自发发射因子、增益特性等多方面因素的影响。为了减小调制畸变,需要尽可能缩短延迟时间,为此采取提高激光器预偏置电流。对于提高弛豫振荡频率的方法是:提高光子密度;提高微分增益;选择最佳腔长;降低稳态载流子浓度。自发辐射因子对弛豫振荡的蜂值有很大的影响。由于的有源区为量子阱结构,具有较高的微分增益,同时有源区体积小具有微腔结构,因而改善了它的各项性能,也大大提高了弛豫振荡频率,从而增加了调制带宽一关键词:垂直腔面发射,、半导体激光器,。速率方程,。稳态特性,动态特性西南交通大学博士学位论文\、
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检索结果文献篇粕和来源摺⒖蜃ɡ⒕怼⑵凇⒁场⒛..瓹甋,⒂弥苯幽D夥ǚ治龆嗖陀谮灏氲继寮す馄魉蔡煊Γ畔睿宋埃薇螅牒杈В建强。光孳:拳掇.∞~⒖,铁莲掌摄,强一、、垂直胶面发射激光器热特性的实验研究,潘钟,,—琹截.。琁..甌甀—甂,珽猼.,￡。琋,.,瓻,甐琁:猠ぁ啊,瓼琂瓾琁痵猟·琋..,“,獁,珻,、猠.。猠甖。痮.,珹。,《
翮毳簟驯年≥月照才治早确/吖啦高绣锻崧上述检索范围及检索刘的文献中,未觅到与本论文相同的文献擐侥查毅结论抽构匚南锥员确治运蹦鶯软传孛霹撬纯绣囊系统对理论模型进行骥援铸囊;在蠢辩考虑鑫ǖ繴忍匦缘氖笛檠芯俊N南查新入员审核街时间根据本论文特点,选择确定了上述检索范围及检索词,共查如相关文献麓,与本论文特点相比较归纳入下:近年来蓬羚关于的研究卡分活跃。文献缆凵戏治隽嗽鲆姹ズ蛚鹁舶导体量子阱激光器双稳态现象。文献分报道了长波长氮化锡量子阱实现室温连续波运行。文献ǖ懒低温下研以获得极低溺馕电浚。文献、欠盍柿ň榘锸仆趼桑榍擦苏反疃允鲆嫒祺炎罴崖臼㈧第电流密度和结构特征势数之间的关系。用系统对瞬态过程进行模拟仿真。文献ǖ懒四医拥缌鞯髦坪屯夤夥蠢∠掠性辞拇笮《訴蔡煊Φ挠跋臁文献ǖ婪鍪笛樯喜饬縑数微分裁漉子寿命。文黻摄道运翔内靛量子戮吸收体实现高频直接电流调制。文献研究了运用筒粼覫瓽嘧于錠迪殖痵传输速率。文献摄遴了奁量子辨中鼹蘩到两静不瀚类型静软āN捻瓯缭索兴俾史