文档介绍：双极型晶体管
双极型半导体三极管(亦称为晶体管)一般有三个电极(即三个引出脚),按工作性质亦分为高、低频晶体三极管;大功率、中功率和小功率晶体三极管;用作信号放大用的三极管和用做开关的三极管。按材料分有锗半导体三极管和硅半导体三极管,由于硅三极管工作稳定性较好,所以现在大部分三极管都是用硅材料做的。下面是一些三极管的外型。
大功率低频三极管
中功率低频三极管
小功率高频三极管
学习要点
学习要点
双极型晶体管
半导体三极管的结构
晶体三极管的放大原理
共射电路输入特性曲线的意义
共射电路输出特性曲线的意义
晶体管的特性 一、晶体管结构简介
一、晶体管结构简介
双极型晶体管(BJT)
一、晶体管结构简介
:
N集电区
N
P基区
e发射极
b 基极
c 集电极
发射区
管芯结构剖面图
基区(P):很薄,空穴浓度较小——引出基极b. 发射区(N):与基区的接触面较小——引出发射极e. 集电区(N):与基区的接触面较大——引出集电极c.
以NPN型晶体管为例。
双极型晶体管(BJT)
发射极的电路符号
一、晶体管结构简介
基区(P):很薄,空穴浓度较小——引出基极b. 发射区(N):与基区的接触面较小——引出发射极e. 集电区(N):与基区的接触面较大——引出集电极c.
注意:发射极的符号带箭头。
PNP型
E
C
B
E
C
B
NPN型
半导体三极管电路符号
:
双极型晶体管(BJT)
双极型晶体管(BJT)
一、晶体管结构简介
PNP型
E
C
B
E
C
B
NPN型
半导体三极管电路符号
NPN与PNP管具有几乎等同的特性,只不过各电极端的电压极性和电流流向不同而已。
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很显然, 三极管有两个 PN结,发射区与基区间的称为发射结,集电区与基区间的叫集电结。
双极型晶体管(BJT)
二、晶体管的电流分配和放大作用
N
N
P
空穴
电子
e
c
b
IB
IE
IC
ICBO
IEN
IEP
IBN
电流方向
顾名思义:发射区的作用是发射电子,集电区的作用是收集电子,下面以NPN型三极管为例分析载流子(即电子和空穴)在晶体管内部的传输情况。
二、晶体管的电流分配与放大作用
发射结
集电结
发射极
集电极
基极
发射结必须处于正向偏置——目的削弱发射结
集电结必须处于反向偏置——目的增强集电结
VEE
VCC
+
-
+
-
ICN
连接BJT各极间电压的一般特性
晶体管的电流分配
晶体管的放大作用
双极型晶体管(BJT)
动画演示
N
N
P
空穴
电子
e
c
b
IB
IE
IC
ICBO
IEN
IEP
IBN
电流方向
VEE
VCC
VCC
+
-
+
ICN
发射结必须处于正向偏置——目的削弱发射结
集电结必须处于反向偏置——目的增强集电结
二、晶体管的电流分配与放大作用
分析集射结电场方向知, 反向偏置有利于收集在基区的电子
发射结变薄有利于发射区的电子向基区扩散
连接BJT各极间电压的一般特性
晶体管的电流分配
晶体管的放大作用